[发明专利]显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在一衬底基板上形成栅极；

在所述栅极上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成氧化物有源层；

在所述氧化物有源层上形成源漏极层；

在所述源漏极层和所述氧化物有源层上形成钝化层；

其中，所述栅介质层和所述钝化层中至少一个包括金属氧化物层和绝缘层，且所述金属氧化物层与所述氧化物有源层直接接触。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述栅介质层包括：

在所述栅极上形成第一子介质层，所述第一子介质层为所述绝缘层；

在所述第一子介质层上形成第二子介质层，所述第二子介质层为所述金属氧化物层。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，形成所述钝化层包括：

在所述氧化物有源层和所述源漏极层上形成第一子钝化层，所述第一子钝化层为所述金属氧化物层；

在所述第一子钝化层上形成第二子钝化层，所述第二子钝化层为所述绝缘层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物层的材料为铝、钛、钇、锆和铪的氧化物其中之一。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物层通过溅射工艺形成。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极；

栅介质层，设于所述栅极上；

氧化物有源层，设于所述栅介质层上；

源漏极层，设于所述氧化物有源层上；

钝化层，设于所述源漏极层上；

其中，所述栅介质层和所述钝化层中至少一个包括金属氧化物层和绝缘层，且所述金属氧化物层与所述氧化物有源层直接接触。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物层的材料为铝、钛、钇、锆和铪的氧化物其中之一。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物层通过溅射工艺形成。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和阵列分布于所述衬底基板上的多个权利要求6-8任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。