[发明专利]载板的压合方法

说明书

本发明公开了一种载板的压合方法，从下到上依次为：第一基座、石墨纸、合金板、缓冲材和第二基座；再提供一待压合载板，所述待压合载板包括若干个芯片与若干个IC载板，所述芯片上配置有芯片接垫，所述IC载板上配置有连接凸点，所述芯片接垫与对应的连接凸点之间通过一焊料凸块电连接；以及进行一热压合工艺，压合所述第二基座与所述第一基座，使所述缓冲材压合至所述第一基座上的所述石墨纸，且所述待压合载板置于所述缓冲材与所述合金板之间。本发明通过热压合工艺，结合合金板和缓冲材将芯片与IC载板进行焊接压合，能够保证芯片与IC载板的连接紧密性，即使不在同一水平面上也能够通过压合技术将其充分的连接。

技术领域

本发明涉及电子组装件及其内部元件的结构与工艺，特别涉及一种载板的压合方法。

背景技术

在集成电路的制作中，芯片是经由晶片制作、形成集成电路以及切割晶片等步骤而完成的。芯片具有一有源面，有源面上配置有多个芯片接垫，芯片通过芯片接垫可电连接到其他IC载板上，以构成一PCB载板。有时还需要再电连接其它几块IC载板，进而能够多运用芯片的功能。

传统的连接方式包括引线键合和倒装芯片结合。主要以倒装芯片结合技术为主，通常在芯片接垫上进行制作焊料凸块，一作为芯片电连接外部的封装基板之用。由于这些焊料凸块通常以面阵列的方式排布于芯片的有源面上，使得倒装芯片结合技术适用于在高接点数及高接点密度的芯片封装结构。现有的技术，通常使用高温回焊或者超声波进行焊接，通过高温使得每一焊料凸块熔融为一球体状，或者通过超声波使焊料凸块键合，从而使芯片与IC载板进行电连接。但在这些技术中，因焊料凸块的不同，导致芯片接垫与IC载板并非位于同一平面上，会导致芯片接垫与IC载板的结合性并非良好。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种通过热压方式在真空环境下进行的载板的压合方法，主要通过温度与压力实现芯片与IC载板的焊接以及多层IC载板的焊接。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种载板的压合方法，包括：

提供一第一基座，所述第一基座具有第一表面；

配置一石墨纸于所述第一表面，以使所述第一表面的热量均匀传导；

配置一合金板于所述石墨纸上，以提升所述第一表面的耐压度与平整度；

提供一第二基座，所述第二基座具有第二表面；

配置一缓冲材于所述第二表面，以通过压力和温度使其纵向位移改变；

提供一待压合载板，所述待压合载板包括若干个芯片与若干个IC载板，所述芯片上配置有芯片接垫，所述IC载板上配置有连接凸点，所述芯片接垫与对应的连接凸点之间通过一焊料凸块电连接；

以及进行一热压合工艺，压合所述第二基座与所述第一基座，使所述缓冲材压合至所述第一基座上的所述合金板，且初始压合温度低于70℃；其中，所述待压合载板置于所述缓冲材与所述合金板之间。

优选的，所述焊料凸块包括铜、镍、锡与金。

优选的，所述芯片与所述载板之间设有用于固定芯片的胶。

优选的，所述压合过程中温度变化分为如下几个步骤：

第一步：所述压合温度介于90℃至120℃之间，以使所述待压合载板内部的胶初步具有粘性；

第二步：所述压合温度介于140℃至160℃之间，增加胶的粘性以使所述待压合载板成型；

第三步：所述压合温度介于190℃至210℃之间，使所述待压合载板内部的胶轻微固化；

第四步：所述压合温度介于230℃至260℃之间，使所述焊料凸块内的锡融化，完成所述待压合载板内芯片与IC载板电连接。