[发明专利]大电流功率MOS封装装置

说明书

本发明公开了一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的环境，包括基体，基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，输入通道、接地通道和输出通道连通控制电路，电流从输入通道进入控制电路并从输出通道输出，控制电路调节输出电流的大小。输出通道的宽度为2.55毫米‑3.61毫米。本发明实施方式中，宽度为2.55毫米‑3.61毫米的输出通道增加了通道和通道内导电元件的接触面积，减小了产生的接触电阻，从而减小了电流在输出通道处产生的损耗，提高了本实施方式中的大电流功率MOS封装装置的电流通过效率。同时，输出通道的横截面积增大也增大了空气对流面积，提高了大电流功率MOS封装装置的散热效果，降低了温升，保证了使用安全和使用寿命。

技术领域

本发明涉及电流封装领域，尤其涉及一种大电流功率MOS封装装置。

背景技术

在BMS(锂电保护领域)、直流无刷控制器领域等电流产品封装领域，一般采用传统的铜框架封装结构，输出通道的横截面积较小，一般为0.78毫米-0.82毫米，导电元件和输出通道的接触面积较小，因此产生的电阻较大，产生了较多的电流损耗，造成了能源浪费，同时，输出通道处的电流损耗还导致了输出通道等部位发热严重，温升较快，带来了安全隐患。

发明内容

本发明实施方式提供的一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的工作环境，所述大电流功率MOS封装装置包括基体，所述基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道连通所述控制电路，电流从所述输入通道进入所述控制电路并从所述输出通道输出，所述控制电路调节输出电流的大小，

所述输出通道的宽度为2.55毫米-3.61毫米。

本发明实施方式中，宽度为2.55毫米-3.61毫米的输出通道增加了通道和通道内导电元件的接触面积，减小了产生的接触电阻，从而减小了电流在输出通道处产生的损耗，提高了本实施方式中的大电流功率MOS封装装置的电流通过效率。同时，输出通道的横截面积增大也增大了空气对流面积，提高了大电流功率MOS封装装置的散热效果，降低了温升，保证了使用安全和使用寿命。

在某些实施方式中，所述控制电路包括调压电路、伺服电机和调压器，所述调压电路对所述输入电路内的电流进行取样、比较和放大，所述伺服电机转动并带动所述调压器调节所述输出通道内的电流以使所述输出通道输出的电流保持稳定。

在某些实施方式中，所述输入通道的宽度为0.78毫米-0.82毫米。

在某些实施方式中，所述输入通道的宽度为0.8毫米。

在某些实施方式中，所述输出通道包括自所述控制电路向电流输出方向依次包括第一段、第二段和第三段，所述第一段的宽度大于所述第二段的宽度，所述第二段的宽度大于所述第三段的宽度。

在某些实施方式中，所述第一段的宽度为3.57毫米-3.61毫米。

在某些实施方式中，所述第二段的宽度为3.07毫米-3.11毫米。

在某些实施方式中，所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道表面涂覆有镍或银。

在某些实施方式中，所述控制电路、输入通道、接地通道和输出通道分别有多个且对应连接。

本发明实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本发明实施方式的大电流功率MOS封装装置的平面结构示意图；

图2是本发明实施方式的大电流功率MOS封装装置的另一平面结构示意图；