[发明专利]一种利用比较器调整动态电阻的M-phy驱动电路

说明书

本发明公开了一种利用比较器调整动态电阻的M‑phy驱动电路，其特征在于分别在均衡模块两个下拉的均衡NMOS管分别对地并联匹配NMOS管，匹配NMOS管的栅极分别与均衡模块控制信号相连，匹配NMOS管上还分别串联一个用作开关作用的开关NMOS管，所述开关NMOS管的栅极与比较器的输出端相连，所述比较器的反向端取1/2数字电压，所述比较器的正向端分别串接一个电阻后分别与主数据驱动差分数据端口Txp和Txn相连接。利用比较器功能精准的开关电流分流NMOS管，将多余的部分电流分流到地，降低下拉管的等效电阻，实现上下端电阻的匹配。本发明无需增加复杂的电路模块，具有面积小、功耗低、结构简单的特点，可实现共模电平稳定在电源中间。

技术领域

本发明涉及一种驱动电路，特别涉及一种利用比较器调整动态电阻的M-phy驱动电路。

背景技术

M-phy是MIPI定义的一种高速通讯的物理层接口电路规范，随着智能终端设备的迅速发展，高速传输接口的需求愈加迫切。M-phy以其高速、低功耗的特点，正成为主流智能终端设备的物理层标准接口。低功耗的Driver部分是M-phy电路的核心技术之一，传统的驱动driver一般利用PMNOS管和NMOS管中串接电阻实现，但这种方法功耗较大。而基于双NMOS管的driver电路可有效地降低功耗。然而现有技术都没有很好的解决均衡模式下，上下NMOS管的Vgs动态变化引起的电阻失配问题，而电阻失配会引起共模电压的不稳定。共模电压抖动除了增加误码率外，还会向空间辐射电磁波，影响移动设备中的射频信号，所以开发具有调整动态电阻功能的driver电路显得尤为重要。

发明内容

针对以上缺陷，本发明目的在于如何实现在均衡模式下，利用比较器调整上下NMOS端的电阻值使其匹配，从而实现共模电压的稳定。

为了解决以上问题本发明提出了一种利用比较器调整动态电阻的M-phy驱动电路，包括m个主数据驱动模块和n个均衡模块，将主数据驱动模块差分数据端口与均衡模块的差分数据端口分别相连接，所述均衡模块采用4个阻值相同的均衡NMOS管结构的电路构成，其特征在于分别在均衡模块两个下拉的均衡NMOS管分别对地并联匹配NMOS管，匹配NMOS管的栅极分别与均衡模块控制信号相连，匹配NMOS管上还分别串联一个用作开关作用的开关NMOS管，所述开关NMOS管的栅极与比较器的输出端相连所述比较器的反向端连接1/2的Drv_avdd,Drv_avdd为驱动供电，所述比较器的正向端分别串接一个电阻后分别与主数据驱动差分数据端口Txp和Txn相连接；所述均衡模块由均衡NMOS管M0、M1、M2和M3构成，M0和M1的漏端与驱动供电Drv_avdd相连接，M0的源端与M2的漏端相连，M1的源端与M3的漏端相连，M9、M11、M2和M3的源端接地，M10的源端与M11的漏端相连接，M8的源端与M9的漏端相连接，M10的漏端与M0的源端相连接，M8的漏端与M1的源端相连接，M0和M3的栅端接均衡模块控制信号dep,M1和M2的栅端接均衡模块控制信号den,匹配NMOS管M9与M8串联后与M3并联，M9的栅端与均衡模块控制信号dep相连，匹配NMOS管M11与M10串联后与M2并联，M11的栅端与均衡模块控制信号den相连，开关NMOS管M8/M10的栅端与比较器的输出端amp_out相连；所述比较器，反向端连接1/2的Drv_avdd，正向端连接共模点txcm，所述主数据驱动模块的Txp和Txn之间创捷两个电阻，两个电阻的连接点为共模点txcm，比较器输出端是amp_out，与均衡模块内的用作开关管的M8、M10的栅端相连。

本发明的电路通过在现有的均衡模块的输出端,利用比较器功能精准的开关电流分流NMOS管，将多余的部分电流分流到地，降低下拉管的等效电阻，实现上下端电阻的匹配。本发明无需增加复杂的电路模块，具有面积小、功耗低、结构简单的特点，可实现共模电平稳定在电源中间。

附图说明

图1是利用比较器调整动态电阻的M-phy驱动电路框架图；

图2是利用比较器调整动态电阻的M-phy驱动电路结构图；

图3是采用的比较器的连接结构图。