[发明专利]半导体装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基底；

栅极结构，设置于该半导体基底上；

源极/漏极区，设置于该半导体基底中且位于该栅极结构的一侧；

源极/漏极接触结构，设置于该源极/漏极区上；

第一介电层，设置于该源极/漏极接触结构以及该栅极结构上；

第一间隙壁，设置于贯穿位于该源极/漏极接触结构上的该第一介电层的一第一接触开孔中；以及

第一连接结构，设置于该第一接触开孔中，其中该第一连接结构被该第一接触开孔中的该第一间隙壁围绕，且该第一连接结构与该源极/漏极接触结构连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

掩模层，设置于该第一介电层与该源极/漏极接触结构之间，其中该第一间隙壁设置于该掩模层上，且该第一连接结构贯穿位于该源极/漏极接触结构上的该掩模层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一间隙壁的最上表面于该半导体基底的厚度方向上低于该第一连接结构的最上表面。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一连接结构的该最上表面与该第一介电层的最上表面共平面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第二间隙壁，设置于贯穿位于该栅极结构上的该第一介电层的一第二接触开孔中；以及

第二连接结构，设置于该第二接触开孔中，其中该第二连接结构被该第二接触开孔中的该第二间隙壁围绕，且该第二连接结构与该栅极结构连接。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第二间隙壁的最底面于该半导体基底的厚度方向上高于该第二连接结构的最底面。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第二间隙壁的最上表面于该半导体基底的厚度方向上低于该第二连接结构的最上表面。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该第二连接结构的该最上表面与该第一介电层的最上表面共平面。

9.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第二间隙壁的最底面于该半导体基底的厚度方向上低于该第一间隙壁的最底面。

10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第二介电层，设置于该第一介电层与该半导体基底之间，其中该源极/漏极接触结构设置于贯穿该第二介电层的一第三接触开孔中；以及

第三间隙壁，设置于该第三接触开孔中，其中该源极/漏极接触结构被该第三接触开孔中的该第三间隙壁围绕。

11.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成一栅极结构；

在该半导体基底中以及该栅极结构的一侧形成一源极/漏极区；

在该源极/漏极区上形成一源极/漏极接触结构；

在该源极/漏极接触结构以及该栅极结构上形成一第一介电层；

形成一第一接触开孔贯穿位于该源极/漏极接触结构上的该第一介电层；

在该第一接触开孔中形成一第一间隙壁；以及

在该第一接触开孔中形成一第一连接结构，其中该第一连接结构被该第一接触开孔中的该第一间隙壁围绕，且该第一连接结构与该源极/漏极接触结构连接。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在形成该第一介电层之前，在该源极/漏极接触结构上形成一掩模层，其中该第一间隙壁形成于该掩模层上，且该第一连接结构贯穿该源极/漏极接触结构上的该掩模层。

13.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在形成该第一连接结构之前，对该第一间隙壁进行一下拉制作工艺，其中该第一间隙壁的最上表面于该半导体基底的厚度方向上低于该第一连接结构的最上表面。