[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201810234920.8 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN108630718B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 钟昕展;廖文禄;李世昌 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
本发明公开一种发光元件,该发光元件包含一基板,其包含一第一侧以及一相反于第一侧的第二侧;多个互相分离的半导体叠层位于基板的第一侧上,各半导体叠层包含一出光区域以及一与出光区域连接的电极垫接触区域;多个电极垫分别位于些电极垫接触区域上;以及一阻挡层位于该些半导体叠层中之一与基板之间。
技术领域
本发明涉及一种发光元件,尤其是涉及一种包含阻挡层的发光元件。
背景技术
发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯,发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点,因此发光二极管已逐渐取代传统光源,并且应用于各种领域,如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。
发明内容
本发明提供一种发光元件。发光元件包含一基板,其包含一第一侧以及一相反于第一侧的第二侧;多个互相分离的半导体叠层位于基板的第一侧上,各半导体叠层包含一出光区域以及一与出光区域连接的电极垫接触区域;多个电极垫分别位于多个电极垫接触区域上;一阻挡层位于多个半导体叠层中之一与基板之间。
本发明提供一种发光元件。发光元件包括一基板,其包含一第一侧以及一相反于第一侧的第二侧;一位于基板的第一侧上的一第一半导体叠层,第一半导体叠层包含一第一出光区域,第一半导体叠层可发出一第一光源,且大部分的第一光源主要自第一出光区域逃逸;以及一位于基板的第一侧上的第二半导体叠层,第二半导体叠层第一半导体叠层分离,第二半导体叠层包含一第二出光区域,第二半导体叠层可发出一第二光源,且大部分的第二光源主要自第二出光区域逃逸;在第一半导体叠层发出第一光源时,自第二出光区域逃逸的第一光源的强度与自第一出光区域逃逸的第一光源的强度比小于0.1。
本发明提供一种发光元件。发光元件包括一基板,其包含一第一侧以及一相反于第一侧的第二侧;一位于基板的第一侧上的第一半导体叠层,第一半导体叠层包含一第一出光区域,第一半导体叠层可发出一第一光源,且大部分的第一光源主要自第一出光区域逃逸;以及一位于基板的第一侧上的第二半导体叠层,第二半导体叠层与第一半导体叠层分离,第二半导体叠层包含一第二出光区域,第二半导体叠层可发出一第二光源,且大部分的第二光源主要自第二出光区域逃逸;在第一半导体叠层以及第二半导体叠层同时分别发出第一光源以及第二光源时,自第一出光区域逃逸的第一光源的强度与自第二出光区域逃逸的第二光源的强度比不小于0.8且不大于1.2。
附图说明
图1A为本发明的第一实施例的发光元件的俯视图;
图1B为本发明的第一实施例的发光元件沿着如图1A的A-A’线的剖视图;
图1C为本发明的第一实施例的发光元件沿着如图1A的B-B’线的剖视图;
图1D为本发明的第一实施例的发光元件沿着如图1A的C-C’线的剖视图;
图2A至图6B为如图1A至图1D所示的发光元件在不同制作工艺阶段的示意图;
图7A为使图1A所示的部分发光元件发光的近场强度光谱示意图;
图7B为图7A沿着A-A’线的相对强度与对应距离的关系图;
图7C为如图1A所示的部分发光元件的近场相对强度光谱示意图;
图7D为图7C沿着A-A’线的相对强度与对应距离的关系图;
图7E为如图1A所示的部分发光元件的近场相对强度光谱示意图;
图7F为图7E沿着B-B’线的相对强度与对应距离的关系图;
图7G为如图1A所示的发光元件以及发光元件的周围的近场相对强度光谱示意图;
图7H为图7G沿着A-A’线的相对强度与对应距离的关系图;
图8为本发明的第二实施例的发光元件的俯视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的