[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包含︰

基板，其包含第一侧以及相反于该第一侧的第二侧；

第一半导体叠层，位于该基板的第一侧上且具有第一宽度的第一出光区域；

第二半导体叠层，位于该基板的第一侧上且与该第一半导体叠层相分离；

以及

反射镜，位于该第一半导体叠层与该基板之间且具有小于该第一宽度的第二宽度；

其中，该第一半导体叠层与该第二半导体叠层可独立控制以发光。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体叠层和该第二半导体叠层分别发出一光源，且该些光源的峰值波长相同或不同。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体叠层和该第二半导体叠层中之一包含两层活性层，该些活性层分别发出一光源，且该些光源的峰值波长不同。

4.如权利要求1所述的发光元件，还包含阻挡层，位于该基板、该第一半导体叠层和该第二半导体叠层之间。

5.如权利要求4所述的发光元件，其中，该阻挡层具有一部分于一垂直方向上不与该反射镜重叠。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一半导体叠层与该第二半导体叠层之间的间距不大于20微米。

7.一种发光元件，其特征在于，包括:

基板，包含第一侧以及相反于该第一侧的第二侧；

第一半导体叠层，位于该基板的第一侧上且包含第一出光区域，该第一出光区域具有第一宽度；

第二半导体叠层，位于该基板的第一侧上且与该第一半导体叠层相分离，该第二半导体叠层包含第二出光区域；以及

反射镜，位于该第一半导体叠层和该基板之间且具有小于该第一宽度的第二宽度；

其中，当该第一半导体叠层发出第一光且该第二半导体叠层未发光时，在该发光元件的一近场光谱中，该第一光自该第二出光区域逃逸的最大相对强度与该第一光自该第一出光区域逃逸的最大相对强度比小于0.1。

8.如权利要求7所述的发光元件，其中，该第一半导体叠层和该第二半导体叠层之间的间距小于20微米。

9.如权利要求7所述的发光元件，其中，还包含一阻挡层，位于该基板、该第一半导体叠层和该第二半导体叠层之间。

10.如权利要求9所述的发光元件，其中，该阻挡层具有一部分于一垂直方向上不与该反射镜重叠。

11.如权利要求7所述的发光元件，其中，该第一半导体叠层和该第二半导体叠层中之一包含两层活性层。

12.一种发光元件，其特征在于，包括:

基板，包含第一侧以及相反于该第一侧的第二侧；

第一半导体叠层，位于该基板的第一侧上且具有第一出光区域，该第一出光区域具有第一宽度；

第二半导体叠层，位于该基板的第一侧上且与该第一半导体叠层相分离，该第二半导体叠层包含第二出光区域；以及

反射镜，位于该第一半导体叠层和该基板之间且具有小于该第一宽度的第二宽度；

其中，当该第一半导体叠层以及该第二半导体叠层同时分别发出该第一光以及第二光时，在该发光元件的一近场光谱中，自该第一出光区域逃逸的该第一光的最大相对强度与自该第二出光区域逃逸的该第二光的最大相对强度比不小于0.8且不大于1.2。

13.如权利要求12所述的发光元件，其中，该第一半导体叠层和该第二半导体叠层之间的间距小于20微米。

14.如权利要求12所述的发光元件，其中，还包含一阻挡层，位于该基板、该第一半导体叠层和该第二半导体叠层之间。