[发明专利]沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备

说明书

沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备。一种沉积掩模可以包括：基底构件，该基底构件包括第一表面和第二表面，该第一表面和第二表面被划分成第一区域、第二区域和第三区域；第一开口，该第一开口在所述第一区域中；第二开口，该第二开口在所述第二区域中；以及第三开口，该第三开口在所述第三区域中，其中，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的每一个具有沙漏形状的横截面，其中，所述第一开口的沙漏形状和所述第三开口的沙漏形状相对于所述基底构件的所述第二表面背离所述第二开口倾斜。以这种方式，能够使沉积处理期间的阴影效应最小化并且能够改善沉积均匀性。

技术领域

本发明的实施方式涉及能够应用于沉积处理的沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备。

背景技术

根据面向信息社会的发展，需要开发诸如新显示装置、照明装置、半导体器件等这样的电子装置。

如上所述的电子装置包括至少一个基板，并且在基板上布置多个精细图案。为了形成精细图案，使用沉积设备，利用包括多个开口的沉积掩模来执行沉积处理。

由于在沉积处理期间使用的沉积设备的特性，导致具有较大面积的电子装置可以具有因沉积掩模导致的较大的阴影效应，这会使沉积均匀性下降。因此，期望的是能够使沉积处理期间具有大面积的电子装置的阴影效应最小化并因此改善沉积均匀性的沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备。

发明内容

本发明的实施方式的一方面是提供一种能够使沉积处理期间的阴影效应最小化并因此改善沉积均匀性的沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备。

本发明的实施方式的一种沉积掩模包括：基底构件，该基底构件包括第一表面和第二表面，所述基底构件被划分成第一区域、第二区域和第三区域；第一开口，该第一开口在所述第一区域中并且包括：所述第一开口的第一表面孔，所述第一开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第一开口的第二表面孔，所述第一开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第一开口的所述第一表面孔连通，所述第一开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第一开口的所述第一表面孔和所述第一开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第一开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第一开口的所述第一表面孔和所述第一开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小；第二开口，该第二开口在所述第二区域中并且包括：所述第二开口的第一表面孔，所述第二开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第二开口的第二表面孔，所述第二开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第二开口的所述第一表面孔连通，所述第二开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第二开口的所述第一表面孔和所述第二开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第二开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第二开口的所述第一表面孔和所述第二开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小；以及第三开口，该第三开口在所述第三区域中并且包括：所述第三开口的第一表面孔，所述第三开口的所述第一表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第一表面，以及所述第三开口的第二表面孔，所述第三开口的所述第二表面孔延伸穿过所述基底构件的所述第二表面并且与所述第三开口的所述第一表面孔连通，所述第三开口的所述第一表面孔的宽度朝着所述第三开口的所述第一表面孔和所述第三开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，并且所述第三开口的所述第二表面孔的宽度朝着所述第三开口的所述第一表面孔和所述第三开口的所述第二表面孔之间的边界逐渐减小，其中，所述第二开口的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度彼此相等，其中，所述第一开口中的所述第一表面孔的与所述第二开口相邻的侧表面的台阶高度小于所述第二开口中的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度，其中，所述第三开口中的所述第一表面孔的与所述第二开口相邻的侧表面的台阶高度小于所述第二开口中的所述第一表面孔的两个侧表面的台阶高度，并且其中，所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间。

本发明的实施方式的一种沉积设备包括：腔室，该腔室包括用于基板的沉积工作空间；沉积源，该沉积源在所述腔室中并且被配置为供应沉积材料；以及上述的沉积掩模。