[发明专利]电子组件及其制造方法

说明书

本发明提供一种电子组件，其包含芯片、第一保护层、第二保护层、第一导电柱及第二导电柱。所述芯片包含导电衬垫。所述第一保护层安置于所述芯片上。所述第一保护层限定第一开口以暴露所述芯片的所述导电衬垫。所述第二保护层安置于所述第一保护层上。所述第二保护层限定第二开口及第一凹槽。所述第二开口暴露所述芯片的所述导电衬垫。所述第一导电柱安置于所述第二开口内且电连接至所述导电衬垫。所述第二导电柱安置于所述第一凹槽内。所述第一导电柱的高度大体上等于所述第二导电柱的高度。所述第一凹槽的底部表面安置于所述第一保护层的顶部表面与所述第二保护层的顶部表面之间。

技术领域

本公开大体上涉及一种电子组件及其制造方法。更具体地，本公开涉及一种包含导电柱的电子组件及其制造方法。

背景技术

在电组件中，保护层安置于芯片或晶片的主动表面上，且所述保护层可具有多个开口以使导电衬垫暴露于用于电连接的芯片的主动表面上。导电柱安置于暴露的导电衬垫上以提供外部电连接，而虚设导电柱形成于保护层上以支撑芯片(且还维持共面性)以避免芯片弯曲或破裂。然而，由于虚设导电柱安置于保护层上，因此虚设导电柱的顶部部分高于导电柱的顶部部分，其可导致导电柱与外部电路或待接合的电路板之间的断开。另外，由于虚设导电柱及保护层由不同材料形成，因此其间的连接可相对较弱。

发明内容

在一或多个实施例中，一种电子组件包含芯片、第一保护层、第二保护层、第一导电柱及第二导电柱。所述芯片包含导电衬垫。第一保护层经安置于芯片上。第一保护层限定第一开口以暴露芯片的导电衬垫。第二保护层经安置于第一保护层上。第二保护层限定第二开口及第一凹槽。第二开口暴露芯片的导电衬垫。第一导电柱安置于第二开口内且电连接至导电衬垫。第二导电柱安置于第一凹槽内。第一导电柱的高度大体上等于第二导电柱的高度。第一凹槽的底部表面安置于第一保护层的顶部表面与第二保护层的顶部表面之间。

在一或多个实施例中，一种电子组件包含芯片、第一保护层、第二保护层、第一导电柱及第二导电柱。所述芯片包含导电衬垫。第一保护层安置于芯片上。第一保护层限定第一开口以暴露芯片的导电衬垫。第二保护层安置于第一保护层上。第二保护层限定穿透第二保护层的第二开口以暴露芯片的导电衬垫，且限定部分地穿透第二保护层的第一凹槽。第一导电柱安置于第二开口内且电连接至导电衬垫。第二导电柱安置于第一凹槽内。

在一或多个实施例中，一种电子组件包含芯片、第一保护层、第二保护层、第一导电柱及第二导电柱。芯片包含导电衬垫。第一保护层安置于芯片上。第一保护层限定第一开口以暴露芯片的导电衬垫。第二保护层安置于第一保护层上。第二保护层限定穿透第二保护层的第二开口以暴露芯片的导电衬垫及第一凹槽。第一导电柱安置于第二开口内且电连接至导电衬垫。第二导电柱安置于第一凹槽内。第二保护层在第一保护层与第二导电柱之间。第一凹槽的宽度小于第二导电柱的宽度。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述最佳地理解本公开的方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述清晰起见而任意增大或减小。

图1说明根据本公开的一些实施例的电子组件的横截面视图；

图2说明根据本公开的一些实施例的电子组件的横截面视图；

图3说明根据本公开的一些实施例的电子组件的横截面视图；

图4说明根据本公开的一些实施例的电子组件的横截面视图；以及

图5A、图5B及图5C说明根据本公开的一些实施例的制造电子组件的方法的各种阶段。

贯穿所述图式及详细描述使用共同参考数字以指示相同或类似元件。本公开将自结合附图进行的以下详细描述而更显而易见。

具体实施方式