[发明专利]一种干法刻蚀设备有效
| 申请号: | 201810227800.5 | 申请日: | 2018-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN108364845B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
| 发明(设计)人: | 宋德伟;董磊磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 刻蚀 设备 | ||
本发明提供的干法刻蚀设备,用于刻蚀基板,包括:反应腔室,反应腔室内设置有上电极与下电极,下电极上设置有多个气孔,且下电极包括第一区域、第二区域以及第三区域,电压调节装置,电压调节装置与下电极连接,电压调节装置调节第一区域、第二区域以及第三区域的电压,以及气体流量调节装置,气体流量调节装置与气孔连接,气体流量调节装置调节第一区域中的气孔、第二区域中的气孔以及第三区域中的气孔的气体流量。通过电压调节装置分区域调节下电极的电压以及,气体流量调节装置分区域调节下电极各个区域中气孔的气体流量,以达到分区域调节基板背面受力的目的,从而提高了刻蚀的均匀性,并且降低了基板静电击伤发生的几率,提高了产品良率。
技术领域
本发明涉及刻蚀技术领域,具体涉及一种干法刻蚀设备。
背景技术
干法刻蚀在显示面板的制作中有着不可替代的作用,在干法刻蚀工艺中一般采用等离子体对基板进行刻蚀。现有的干法刻蚀设备包括:反应腔、位于反应腔内的上电极和下电极。在具体实施时,将待刻蚀基板放置与下电极上,反应腔内通入等离子体,并且向上电极和下电极施加电压以使得二者之间形成电势差;在电场作用下,等离子体获得很高的能量并以很高的速度轰击待刻蚀基板从而实现刻蚀。
在刻蚀过程中,等离子体轰击待刻蚀基板会将部分能量传递给待刻蚀基板,使得待刻蚀基板的温度升高,因此需要对待刻蚀基板进行背冷却处理。例如在下电极设置有多个气孔,冷却气体例如氦气可以从下部电极底部通过气孔向上输送至待刻蚀基板,使得待刻蚀基板的温度降低。然而,由于待刻蚀基板依靠氦气的浮力以及静电吸附力悬浮于下电极表面,因此基板中心区域与周边区域受力不同,各区域在工艺过程中与下电极发生摩擦造成基板背面不同程度的损伤,降低了刻蚀均匀性,并且会提高静电击伤发生的几率,从而使得产品良率下降。
发明内容
本发明实施例提供一种干法刻蚀设备,能够提高刻蚀均匀性,降低静电击伤发生的几率,提高产品良率。
本发明提供了一种一种干法刻蚀设备,用于对基板进行刻蚀,包括:
反应腔室,所述反应腔室内设置有上电极与下电极,所述下电极上设置有多个气孔,且所述下电极包括第一区域、第二区域以及第三区域;
电压调节装置,所述电压调节装置与所述下电极连接,所述电压调节装置用于调节所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的电压;以及
气体流量调节装置,所述气体流量调节装置与所述气孔连接,所述气体流量调节装置用于调节所述第一区域中的气孔、所述第二区域中的气孔以及所述第三区域中的气孔的气体流量。
根据本发明一优选实施例,还包括检测装置和反馈装置;所述检测装置用于检测所述基板背面的变化参数,并将所述变化参数的数据信息发送给反馈装置;所述反馈装置用于处理所述数据信息,并将所述数据信息的反馈结果发送给所述电压调节装置和所述气体流量调节装置;所述电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的电压;所述气体流量调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域中的气孔、所述第二区域中的气孔以及所述第三区域中的气孔的气体流量。
根据本发明一优选实施例,所述电压调节装置与所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域连接;其中,所述检测装置用于检测所述基板背面的阴离子变化参数,并将所述阴离子变化参数的阴离子数据信息发送给所述反馈装置;所述反馈装置用于处理所述阴离子数据信息,并将所述阴离子数据信息的反馈结果发送给电压调节装置;所述电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的电压。
根据本发明一优选实施例,所述电压调节装置包括第一电压调节装置、第二电压调节装置以及第三电压调节装置;其中,所述第一电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域的电压;所述第二电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第二区域的电压;所述第三电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第三区域的电压。
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