[发明专利]一种干法刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201810227800.5 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN108364845B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 宋德伟;董磊磊 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 刻蚀 设备
【权利要求书】:

1.一种干法刻蚀设备,用于对基板进行刻蚀;其特征在于,所述干法刻蚀设备包括:

反应腔室,所述反应腔室内设置有上电极与下电极,所述下电极上设置有多个气孔,且所述下电极包括第一区域、第二区域以及第三区域;

电压调节装置,所述电压调节装置与所述下电极连接,所述电压调节装置用于调节所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的电压;以及

气体流量调节装置,所述气体流量调节装置与所述气孔连接,所述气体流量调节装置用于调节所述第一区域中的气孔、所述第二区域中的气孔以及所述第三区域中的气孔的气体流量;

其中,还包括检测装置和反馈装置;所述检测装置用于检测所述基板背面的变化参数,并将所述变化参数的数据信息发送给反馈装置;所述反馈装置用于处理所述数据信息,并将所述数据信息的反馈结果发送给所述电压调节装置和所述气体流量调节装置;所述电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的电压;所述气体流量调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域中的气孔、所述第二区域中的气孔以及所述第三区域中的气孔的气体流量;

所述检测装置为比例-积分-微分传感器,所述变化参数为压强、温度或者气体流量变化参数。

2.根据权利要求1所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述电压调节装置与所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域连接;

其中,所述检测装置用于检测所述基板背面的阴离子变化参数,并将所述阴离子变化参数的阴离子数据信息发送给所述反馈装置;

所述反馈装置用于处理所述阴离子数据信息,并将所述阴离子数据信息的反馈结果发送给电压调节装置;

所述电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的电压。

3.根据权利要求2所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述电压调节装置包括第一电压调节装置、第二电压调节装置以及第三电压调节装置;

其中,所述第一电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域的电压;

所述第二电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第二区域的电压;

所述第三电压调节装置根据所述反馈结果调节所述第三区域的电压。

4.根据权利要求1所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述气体流量调节装置设置在所述多个气孔的下方;

其中,所述检测装置用于检测所述基板背面的温度变化参数,并将所述温度变化参数的温度数据信息发送给所述反馈装置;

所述反馈装置用于处理所述温度数据信息,并将所述温度数据信息的反馈结果发送给电压调节装置;

所述气体流量调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域中的气孔、所述第二区域中的气孔以及所述第三区域中的气孔的气体流量。

5.根据权利要求4所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述气体流量调节装置包括第一气体流量调节装置、第二气体流量调节装置以及第三气体流量调节装置;

其中,所述第一气体流量调节装置根据所述反馈结果调节所述第一区域中的气孔的气体流量;

所述第二气体流量调节装置根据所述反馈结果调节所述第二区域中的气孔的气体流量;

所述第三气体流量调节装置根据所述反馈结果调节所述第三区域中的气孔的气体流量。

6.根据权利要求1所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述上电极与下电极的材料为钨、金或者铜。

7.根据权利要求1所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述下电极的上方设置有用于放置所述基板的基台,其中,所述多个气孔贯穿所述基台以及所述下电极。

8.根据权利要求7所述的干法刻蚀设备,其特征在于,所述基台的上表面上设置有多个用以支撑所述基板的突起。

9.根据权利要求1所述的干法刻蚀设备,还包括电压发生装置和气体生成装置;所述电压发生装置用于向所述下电极提供电压;所述气体生成装置用于从所述下电极的底部通过所述多个气孔向上输送气体。

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