[发明专利]半导体封装体配置装置、制造装置、配置方法及其应用有效
申请号: | 201810227519.1 | 申请日: | 2018-03-19 |
公开(公告)号: | CN108630552B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 片冈昌一;深井元树 | 申请(专利权)人: | 东和株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市南区上鸟羽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 配置 装置 制造 方法 及其 应用 | ||
本发明提供一种可高精度地配置半导体封装体的半导体封装体配置装置、制造装置、配置方法及其应用。半导体封装体配置装置具备:吸附机构,用以吸附半导体封装体;树脂片,用以配置半导体封装体;支撑基座,用以支撑树脂片;以及第1拍摄部,用以拍摄支撑基座的开口。第1拍摄部具备:红外光源、红外线拍摄元件、及用以使从红外光源穿过树脂片而入射至支撑基座中的入射光与由支撑基座反射的反射光变成同轴的光学构件。根据半导体封装体的拍摄数据与开口的拍摄数据,进行半导体封装体对于开口的对位,而将半导体封装体配置在树脂片上。
技术领域
本发明涉及一种半导体封装体配置装置、制造装置、半导体封装体的配置方法以及电子零件的制造方法及其应用。
背景技术
例如在韩国专利第10-1590593号公报(专利文献1)中揭示有一种通过溅射而在球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)半导体封装体上形成电磁干扰(ElectromagneticInterference,EMI)屏蔽的方法。专利文献1中记载的方法如以下那样进行。
首先,在形成有多个贯穿孔的模板上设置双面粘接部件。继而,将模板的对应于贯穿孔的部位的双面粘接部件去除,而在双面粘接部件上形成多个开口。继而,以球形电极(ball electrode)处于双面粘接部件的开口内的方式在双面粘接部件上配置BGA半导体封装体。其后,通过溅射而在BGA半导体封装体的与球形电极侧相反侧的表面上形成作为金属膜的电磁屏蔽膜。
发明内容
但是,在专利文献1中所记载的方法中,当使用聚酰亚胺等的经着色的树脂片作为双面粘接部件时,有时球形电极未处于双面粘接部件的开口内,球形电极上升至双面粘接部件上或模板上。在此情况下,有时在溅射时金属粒子旋转入BGA半导体封装体的球形电极侧而产生制品不良。因此,要求在双面粘接部件上高精度地配置BGA半导体封装体,但在专利文献1中,关于高精度地配置BGA半导体封装体的技术未进行任何揭示。
根据此处所揭示的实施方式,可提供一种半导体封装体配置装置,其具备:吸附机构,用以吸附半导体封装体;树脂片,用以配置半导体封装体;支撑基座,用以支撑树脂片;以及第1拍摄部,用以拍摄支撑基座的开口;第1拍摄部具备红外光源、红外线拍摄元件、及用以使从红外光源穿过树脂片而入射至支撑基座中的入射光与入射光由支撑基座反射的反射光变成同轴的光学构件,根据吸附在吸附机构上的半导体封装体的拍摄数据与由红外线拍摄元件所拍摄的开口的拍摄数据,进行半导体封装体对于开口的对位,而将半导体封装体配置在树脂片上。
根据此处所揭示的实施方式,可提供一种制造装置,其具备:半导体封装体基板切断装置,为了制作半导体封装体而用以切断半导体封装体基板;以及所述半导体封装体配置装置。
根据此处所揭示的实施方式,可提供一种半导体封装体的配置方法,其包括:通过吸附机构来吸附半导体封装体的步骤;取得吸附在吸附机构上的半导体封装体的拍摄数据的步骤;取得支撑用以配置吸附在吸附机构上的半导体封装体的树脂片的支撑基座的开口的拍摄数据的步骤;根据半导体封装体的拍摄数据与开口的拍摄数据,进行半导体封装体对于开口的对位的步骤;以及将半导体封装体配置在树脂片上的步骤;取得开口的拍摄数据的步骤包括使入射光从红外光源穿过树脂片而入射至支撑基座中,并通过包含红外线拍摄元件的第1拍摄部来拍摄入射光由支撑基座反射的反射光的步骤,且使入射光与反射光变成同轴。
根据此处所揭示的实施方式,可提供一种电子零件的制造方法,其包括:为了制作半导体封装体而用以切断半导体封装体基板的半导体封装体基板切断步骤;通过所述半导体封装体的配置方法来将半导体封装体配置在树脂片上的步骤;以及在配置在树脂片上的半导体封装体上形成导电性膜的步骤。
本发明的所述及其他目的、特征、局面及优点将根据与随附的附图相关联来理解的关于本发明的以下的详细说明而变得明确。
附图说明
图1是实施方式的制造装置的示意性的平面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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