[发明专利]半导体装置封装

说明书

一种半导体装置封装包含引线框架、电子组件、封装主体、至少一个导电通孔和一个导电层。所述引线框架包含焊盘、连接元件和多个引线。所述电子组件设置在所述焊盘上。所述封装主体包封所述电子组件和所述引线框架。所述至少一个导电通孔设置在所述封装主体中，电连接到所述连接元件并且暴露于所述封装主体。所述导电层设置在所述封装主体和所述导电通孔上。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置封装和一种用于制造所述半导体装置封装的方法，并且涉及一种包含电磁干扰(EMI)屏蔽罩的半导体装置封装。

背景技术

半导体装置封装可包含衬底、引线框架或其它载体。衬底可包含用于信号传输的多个导电层(例如，信号层、接地层等)。接地层和信号层可堆叠(例如，竖直堆叠)。EMI屏蔽罩可形成在衬底上并且电连接到接地层。

EMI屏蔽技术中的至少一些可适用于引线框架底座且适用于方形扁平无引线(QFN)和方形扁平封装件(QFP)。引线框架的接地引线和信号引线可处于相同高度，并且引线框架可实施某些对应特征以避免在形成EMI屏蔽罩时或稍后接地引线与信号引线之间发生短路。然而，此类引线框架结构可能是复杂且昂贵的。这种引线框架的生产率和刚性可能会减小。在形成这种引线框架的密封剂时或稍后，密封剂可能会发生翘曲和溢流。沟槽可形成在密封剂中以便于EMI屏蔽罩的形成，并且控制所述沟槽的大小可能具有挑战性。此外，沟槽的纵横比(AR比率)(宽度相对于深度)可相对大以促进通过溅射技术形成EMI屏蔽罩，这可对半导体装置封装的产量产生不利影响。

发明内容

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含引线框架、电子组件、封装主体、至少一个导电通孔和一个导电层。引线框架包含焊盘(paddle)、连接元件和多个引线。电子组件设置在焊盘上。封装主体包封电子组件和引线框架。至少一个导电通孔设置在封装主体中，电连接到连接元件并且暴露于封装主体。导电层设置在封装主体和导电通孔上。

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含引线框架、电子组件、封装主体、接地元件和导电层。引线框架包含焊盘、连接杆和多个引线。连接杆包含邻近焊盘并且连接到焊盘的第一部分，以及第二部分。第一部分设置在焊盘与第二部分之间。电子组件设置在焊盘上。封装主体包封电子组件和引线框架。封装主体具有上表面和与上表面相对的下表面。接地元件从封装主体的上表面延伸到连接杆的第一部分。导电层设置在封装主体的上表面上并且电连接到接地元件。

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含引线框架、电子组件、封装主体、接地元件和导电层。引线框架包含焊盘和连接元件。电子组件设置在焊盘上。封装主体包封电子组件和引线框架。接地元件设置在封装主体中并且具有弯曲侧壁。接地元件电连接到连接元件。导电层设置在封装主体上并且电连接到接地元件。

附图说明

图1A是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图1B是根据本发明的一些实施例的如图1A所示的引线框架的俯视图。

图2是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图3是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图4是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图5是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图6A、图6B、图6C和图6D示出根据一些实施例的用于制造如图1A所示的半导体装置封装的方法。

图7A、图7B、图7C、图7D和图7E示出根据一些实施例的用于制造如图2所示的半导体装置封装的方法。

图8A、图8B、图8C和图8D示出根据一些实施例的用于制造如图4所示的半导体装置封装的方法。

图9是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。