[发明专利]显示装置及其形成方法

说明书

本发明公开了一种显示装置，包含彼此间隔开的第一基板和第二基板以及设置在第一基板和第二基板之间的单元间隙中的液晶层。显示装置的数据线形成于第一基板上，栅极线形成于第二基板上。第一基板上的数据线和第二基板上的栅极线由栅绝缘层和液晶层隔开，以增加数据线和栅极线之间的间隙距离，用以减小每条数据线与每条栅极线之间的交叉电容。

技术领域

本发明是有关于一种显示技术，具体而言涉及一种显示装置，显示装置的栅极线与数据线设置于不同的基板上。

背景技术

在高解析度的显示装置中，随着显示屏幕的尺寸变大，线路电阻和电容也随之变大。因此，可能会出现闪烁、亮度不均匀、串扰和影像残留(Image retention)等问题。

因此，对于改善本领域的上述缺陷和不足，存在着迄今尚未被解决的需求。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种显示装置，其包含第一基板与第二基板，彼此间隔藉以定义单元间隙；液晶层，设置于第一基板和第二基板之间的单元间隙中，且具有液晶分子，液晶层定义具多个像素；第一结构，设置于第一基板上，面对液晶层，其中第一结构包含：半导体层，设置于第一基板；电极层，设置于半导体层上，用以提供该些像素多条数据线、多个源极与多个漏极，每一像素的源极均电性连接于一条对应的数据线上；栅绝缘层，设置于第一基板上，覆盖半导体层；以及第一透明导电层，设置于栅绝缘层上，用以形成该些像素的多个像素电极，在每一像素中，像素电极均电性连接至对应的漏极。第二结构，设置于第二基板上，面对液晶层，其中二结构包含：多个间隔物，配置于第二基板上并向第一结构延伸；以及多条栅极线，分别设置于第二基板上；以及多个栅电极，每个栅电极对应该些个像素中的一个，并且设置于对应的像素上的对应的间隔物上，且栅电极直接接触栅绝缘层，并面向第一结构的半导体层，其中，在每个像素中，对应的栅电极电性连接至对应的栅极线。于某些实施方式中，其中第一结构中的数据线与第二结构中的栅极线被栅绝缘层与液晶层所隔开，以减小每条数据线与每条栅极线之间的交叉电容。

于本发明的一或多个实施方式中，第二结构进一步包含：一黑矩阵层，设置于第二基板上；以及一彩色滤光层，设置于第二基板与黑矩阵层上，其中该些个间隔物与该些条栅极线设置于彩色滤光层上。

于本发明的一或多个实施方式中，第二结构进一步包含设置在第二基板上一黑矩阵层，该些个间隔物与该些条栅极线设置于黑矩阵层上；以及第一结构还包括设置于第一基板与半导体层上的一彩色滤光层，电极层设置于彩色滤光层与半导体层上。

于本发明的一或多个实施方式中，第一结构进一步包含：黑矩阵层，设置于半导体所设置于的第一基板上；彩色滤光层，设置于半导体层上，其中电极层设置于彩色滤光层与半导体层上。

于本发明的一或多个实施方式中，第一结构进一步包含：保护层，设置于第一基板上，覆盖第一透明导电层；以及第二透明导电层，设置于保护层上用以形成至少共同电极。

于本发明的一或多个实施方式中，每一栅电极直接形成于栅绝缘层上作为第一结构的一部分。

于本发明的一或多个实施方式中，每一栅电极的宽度与覆盖半导体层的栅绝缘层的一部分的宽度大致相同。

于本发明的一或多个实施方式中，液晶层的液晶分子是具有正或负介电常数的向列型液晶分子。

于本发明的一或多个实施方式中，半导体层由非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)形成。

于本发明的一或多个实施方式中，第一透明导电层和第二透明导电层分别由透明导电材料制成，透明导电材料为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。

于本发明的一或多个实施方式中，第一结构的数据线和第二结构的栅极线分别由导电材料或导电材料的合金形成，导电材料选自铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)及其任意一种组合的群组。