[发明专利]显示装置及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201810218589.0 申请日: 2018-03-16
公开(公告)号: CN108445685B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 李锡烈;罗方祯 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 北京市立康律师事务所 11805 代理人: 梁挥;孟超
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置,其特征在于,包含:

一第一基板与一第二基板,彼此间隔藉以定义一单元间隙;

一液晶层,设置于该第一基板和该第二基板之间的该单元间隙中,且具有液晶分子,该液晶层定义有多个像素;

一第一结构,设置于该第一基板上,面对该液晶层,其中该第一结构包含:

一半导体层,设置于该第一基板;

一电极层,设置于该半导体层上,用以提供该些像素多条数据线、多个源极与多个漏极,每一该像素的该源极均电性连接于一条对应的该数据线上;

一栅绝缘层,设置于该第一基板上,覆盖该半导体层;以及

一第一透明导电层,设置于该栅绝缘层上,用以形成该些像素的多个像素电极,在每一该像素中,该像素电极均电性连接至对应的该漏极;

一第二结构,设置于该第二基板上,面对该液晶层,其中该第二结构包含:

多个间隔物,配置于该第二基板上并向该第一结构延伸;以及

多条栅极线,设置于该第二基板上;以及

多个栅电极,每一该栅电极对应该些个像素中的一个,并且设置于对应的该像素上的对应的该间隔物上,且该栅电极直接接触该栅绝缘层,并面向该第一结构的该半导体层,其中,在每一该像素中,对应的该栅电极电性连接至对应的该栅极线;

其中该第一结构中的该些数据线与该第二结构中的该些栅极线被该栅绝缘层与该液晶层所隔开。

2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第二结构进一步包含:

一黑矩阵层,设置于该第二基板上;以及

一彩色滤光层,设置于该第二基板与该黑矩阵层上,其中该些个间隔物与该些条栅极线设置于该彩色滤光层上。

3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第二结构进一步包含设置在该第二基板上一黑矩阵层,该些个间隔物与该些条栅极线设置于该黑矩阵层上;以及

该第一结构还包括设置于该第一基板与该半导体层上的一彩色滤光层,该电极层设置于该彩色滤光层与该半导体层上。

4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一结构进一步包含:

一黑矩阵层,设置于该半导体层所设置于的该第一基板上;以及

一彩色滤光层,设置于该半导体层上,其中该电极层设置于该彩色滤光层与该半导体层上。

5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一结构进一步包含:

一保护层,设置于该第一基板上,覆盖该第一透明导电层;以及

一第二透明导电层,设置于该保护层上用以形成至少一共同电极。

6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,每一该栅电极直接形成于该栅绝缘层上作为该第一结构的一部分。

7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,每一该栅电极的宽度与覆盖该半导体层的该栅绝缘层的一部分的宽度相同。

8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,在每一该像素中,该源极和该漏极互相间隔开,以在其间形成一通道间隙,使该半导体层暴露于该通道间隙中,并且该栅电极与暴露在该通道间隙中的该半导体层对齐。

9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,暴露于该通道间隙中的该半导体层与该栅电极的重叠尺寸,大于该显示装置的对准精度要求值。

10.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该液晶层的厚度范围为3微米至4微米,该栅绝缘层的厚度范围为0.3微米至0.4微米。

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