[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810214557.3 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN108447888B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 吴慧利;孙建明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王卫忠;袁礼君 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。该阵列基板包括:衬底基板、像素区以及驱动元件区,驱动元件区包括:栅极、栅绝缘层、有源层、层间绝缘层和源/漏电极层,像素区包括:反射层、至少一个像素定义层和相变材料层,其中栅绝缘层、有源层和源/漏电极层中的一层或多层与位于不同颜色像素区的至少一个像素定义层分别由相同的材料层形成,且像素定义层包括与源/漏电极层相同的材料层。该阵列基板上的像素定义层由栅绝缘层、有源层和源/漏电极层中的一层或多层相同的材料同时形成,使得像素定义层能够与驱动元件区的膜层在同一次工艺中完成,降低曝光次数,降低生产成本。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
相变材料(Phase Change Material,PCM)由于具有较宽的色域、较高的透明度、较高的分辨率和较快的响应时间,在新兴的显示技术(如电子纸)中得到广泛的应用,例如可以应用在人工智能、显示安全隐私等领域。
相变材料在透明显示领域具有非常大的前景,可以通过驱动相变材料发生不同程度的变化来实现色彩的调节,基本原理是依靠相变材料发生相变出现折射率和反射率的变化,同时结合相变材料底部不同厚度的像素定义层(Space)高度实现显示不同色域的显示。
由于相变显示技术需要通过薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列对相变材料进行驱动,在制作方面所需掩膜(Mask)工艺次数较多,并且相变材料显示的色域取决于相变材料下方的ITO的厚度,由于光学方面的严格要求对ITO厚度和均一性要求十分高,同时作为Space层制备难度较大。
因此,现有技术中的技术方案还存在有待改进之处。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,进而至少在一定程度上克服由于相关技术中Space层制备难度较大的问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰,或者部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供一种阵列基板,包括:
衬底基板;
多个位于所述衬底基板上的像素区;以及
多个分别与所述像素区相邻设置的驱动元件区;
所述驱动元件区包括:
栅极;
栅绝缘层,设置在所述栅极上;
有源层,设置在所述栅绝缘层上;
层间绝缘层,设置在所述有源层上;以及
源/漏电极层,设置在所述层间绝缘层上;
所述像素区包括:
反射层;
至少一个像素定义层,设置在所述反射层上;以及
相变材料层,设置在所述至少一个像素定义层上;
其中,所述栅绝缘层、所述有源层和所述源/漏电极层中的一层或多层与位于不同颜色像素区的所述至少一个像素定义层分别由相同的材料层形成,且所述至少一个像素定义层包括与所述源/漏电极层相同的材料层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述反射层与所述栅极由同层同材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810214557.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板和显示装置
- 下一篇:触控面板、其制备方法和触控显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的