[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810214557.3 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN108447888B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 吴慧利;孙建明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王卫忠;袁礼君 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
多个位于所述衬底基板上的像素区;以及
多个分别与所述像素区相邻设置的驱动元件区;
所述驱动元件区包括:
栅极;
栅绝缘层,设置在所述栅极上;
有源层,设置在所述栅绝缘层上;
层间绝缘层,设置在所述有源层上;以及
源/漏电极层,设置在所述层间绝缘层上;
所述像素区包括:
反射层;
至少一个像素定义层,设置在所述反射层上;以及
相变材料层,设置在所述至少一个像素定义层上;
其中,所述栅绝缘层、所述有源层和所述源/漏电极层中的一层或多层与位于不同颜色像素区的所述至少一个像素定义层分别由相同的材料层形成,且所述至少一个像素定义层包括与所述源/漏电极层相同的材料层;
所述不同颜色像素区包括第二颜色像素区,所述至少一个像素定义层包括位于所述第二颜色像素区的第二像素定义层,所述第二像素定义层包括:
第一无机层,设置在所述反射层上;以及
第一电极,设置在所述第一无机层上;
其中所述第一无机层与所述栅绝缘层由同层同材料形成,所述第一电极与所述源/漏电极层由同层同材料形成。
2.据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层与所述栅极由同层同材料形成。
3.据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述不同颜色像素区包括第一颜色像素区,所述至少一个像素定义层包括位于所述第一颜色像素区的第一像素定义层,所述第一像素定义层包括:
第一电极,设置在所述反射层上;
其中所述第一电极与所述源/漏电极层由同层同材料形成。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述不同颜色像素区包括第三颜色像素区,所述至少一个像素定义层包括位于所述第三颜色像素区的第三像素定义层,所述第三像素定义层包括:
第一无机层,设置在所述反射层上;
氧化物薄膜层,设置在所述第一无机层上;以及
第一电极,设置在所述氧化物薄膜层之;
其中所述第一无机层与所述栅绝缘层由同层同材料形成,所述氧化物薄膜层与所述有源层由同层同材料形成,所述第一电极与所述源/漏电极层由同层同材料形成。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动元件区还包括:
钝化层,设置在所述源/漏电极层上;
其中所述钝化层和所述相变材料层由同层同材料形成。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述像素区还包括:
第二电极,设置在所述相变材料层上;
所述驱动元件区还包括:
第三电极,设置在所述钝化层上;
其中所述第二电极和所述第三电极由同层同材料形成。
7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成金属层,并经过构图工艺在所述衬底基板的像素区形成反射层,在所述衬底基板的驱动元件区形成栅极;
在所述栅极上形成栅绝缘层、有源层和源/漏电极层,且所述栅绝缘层、所述有源层和所述源/漏电极层中的一层或多层与位于不同颜色像素区的至少一个像素定义层分别由相同的材料层形成,且所述至少一个像素定义层包括与所述源/漏电极层相同的材料层;
所述不同颜色像素区包括第二颜色像素区,所述至少一个像素定义层包括位于所述第二颜色像素区的第二像素定义层,所述第二像素定义层包括:
第一无机层,设置在所述反射层上;以及
第一电极,设置在所述第一无机层上;
其中所述第一无机层与所述栅绝缘层由同层同材料形成,所述第一电极与所述源/漏电极层由同层同材料形成;
在所述至少一个像素定义层上形成相变材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的