[发明专利]一种多功能的蚀刻装置在审
申请号: | 201810214401.5 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN108461426A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 许孟凯;黄建顺;王嘉伟;陈胜男;林张鸿;林豪;林伟铭 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351117 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应槽 喷淋 多轴运动 机械手臂 洁净单元 晶圆 化学蚀刻 入射单元 蚀刻装置 溢流槽 槽口 抽取 反应槽外部 单元设置 底部连通 方向指向 反射罩 反应物 进液口 均匀场 抛物面 过滤 清洗 残留 移动 | ||
1.一种多功能的蚀刻装置,其特征在于:包括反应槽、多轴运动机械手臂、溢流槽、循环洁净单元、喷淋单元和入射单元,所述多轴运动机械手臂设置在反应槽上方,所述溢流槽设置在反应槽外部的四周,所述循环洁净单元用于抽取并过滤抽取的液体,喷淋单元设置在反应槽的槽口且喷淋方向指向反应槽的槽口,所述入射单元设置在反应槽的底部,循环洁净单元的第一进液口与反应槽底部连通,循环洁净单元的第二进液口与溢流槽底部连通,所述入射单元包括入射管和反射罩,所述反射罩上表面为设置通孔的平面,下表面为抛物面,所述入射管置于所述抛物面的抛物线所在的焦点处,所述入射管上设置有方向指向抛物面的入射孔,循环洁净单元的第二出液口与入射管连接。
2.根据权利要求1所述的一种多功能的蚀刻装置,其特征在于:所述喷淋单元包括两个相互平行的喷淋管,喷淋管设置在反应槽的槽口两侧,喷淋管上设置有一排喷淋口。
3.根据权利要求1所述的一种多功能的蚀刻装置,其特征在于:所述入射单元与循环洁净单元间设有流通方向指向入射单元的第一单向阀,所述反应槽底部与循环洁净单元间设有流通方向指向循环洁净单元的第二单向阀。
4.根据权利要求1所述的一种多功能的蚀刻装置,其特征在于:还包括超声波振荡单元,超声波振荡单元设置在反应槽的槽体壁上或者反射罩下表面壁上。
5.根据权利要求1所述的一种多功能的蚀刻装置,其特征在于:所述溢流槽的槽口设置有液位传感单元,所述液位传感单元用于采集溢流槽液位。
6.根据权利要求1所述的一种多功能的蚀刻装置,其特征在于:所述反应槽内设置有用于检测PH值的化学监控单元。
7.根据权利要求1所述的一种多功能的蚀刻装置,其特征在于:所述多轴运动机械手臂包括多轴运动机构、转动机构和机械手臂,多轴运动机构与转动机构连接,转动机构与机械手臂连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造