[发明专利]一种字线译码电路有效
申请号: | 201810210992.9 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108389599B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 胡剑 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C8/10 | 分类号: | G11C8/10;G11C8/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 译码 电路 | ||
本发明公开一种字线译码电路,包括:块选择电路,用于将块选择信号和块许可信号转化为块选择信号A和互补块选择信号B;第一下拉电路,用于将所述块选择信号A转换为选择线输入SELi;第二下拉电路,用于将所述互补块选择信号B转换为互补选择线输入SELbi;锁存电路,用于将所述选择线输入SELi和互补选择线输入SELbi进行加速翻转和锁存;第一高压转换电路,用于将所述选择线输入SELi转换为互补高压选择线输出SELb;第二高压转换电路,用于将所述互补选择线输入SELbi转换为高压选择线输出SEL;第三下拉电路,用于在所述互补块选择信号B的控制下加快所述互补高压选择线输出SELb的建立。
技术领域
本发明涉及一种译码电路,特别是涉及一种字线译码电路。
背景技术
进行高速IP设计的时候,字线(WL)的上升速度对速度有决定性的影响,为了加快读取速度,一般都会增加字线译码电路的晶体管尺寸,除了晶体管尺寸,地址信号译码的速度也很关键。
图1为现有译码电路的电平转换电路,包括块选择电路10、第一下拉电路20、第二下拉电路30、锁存电路40、第一高压转换电路50、第二高压转换电路60。块选择电路10由4输入与非门I142和2输入与非门I143组成,用于将块选择信号XPA/XPB/XPC和块许可信号XPEN转化为块选择信号A和互补块选择信号B;第一下拉电路20有NMOS管M36和M32组成,用于将块选择信号A转换为选择线输入SELi;第二下拉电路30有NMOS管M38和M31组成,用于将互补块选择信号B转换为互补选择线输入SELbi;锁存电路40由PMOS管M29、NMOS管M33和PMOS管M27以及NMOS管M37组成,用于将选择线输入SELi和互补选择线输入SELbi进行加速翻转和锁存;第一高压转换电路50由PMOS管M26和NMOS管M35组成,用于将选择线输入SELi转换为互补高压选择线输出SELb;第二高压转换电路60由PMOS管M28和NMOS管M34组成,用于将互补选择线输入SELi转换为高压选择线输出SEL。
具体来说,块选择地址信号XPA/XPB/XPC和块许可信号XPEN连接至4输入与非门I142的输入端,4输入与非门I142的输出即为块选择信号A,其连接至第一下拉电路20的NMOS管M32的栅极和2输入与非门I143的一输入端,块许可信号XPEN连接至2输入与非门I143的另一输入端,2输入与非门I143的输出即为互补块选择信号B,其连接至第二下拉电路30的NMOS管M31的栅极;NMOS管M32的漏极连接至NMOS管M36的源极,NMOS管M36的漏极与NMOS管M35的栅极、PMOS管M26的栅极、PMOS管M29的漏极、NMOS管M33的漏极和PMOS管M27的栅极以及NMOS管M37的栅极相连组成选择线输入SELi节点,NMOS管M31的漏极连接至NMOS管M38的源极,NMOS管M38的漏极与NMOS管M34的栅极、PMOS管M28的栅极、PMOS管M27的漏极、NMOS管M37的漏极和PMOS管M29的栅极以及NMOS管M33的栅极相连组成互补选择线输入SELbi节点;PMOS管M26的漏极与NMOS管M35的漏极相连组成互补高压选择线输出SELb节点,PMOS管M28的漏极与NMOS管M34的漏极相连组成高压选择线输出SEL节点;NMOS管M35、M32、M33、M37、M31、M34的源极接块偏置端XDBIAS,NMOS管M35、M32、M33、M37、M31、M34、M36、M38的体端接地,PMOS管M26、M28的源极接第二高压电源ZVDD2,PMOS管M29、M27的源极以及PMOS管M29、M27、M26、M28的体端接高压电源ZVDD,NMOS管M36、M38的栅极接电源电压VD5。
译码电路经过电平转换电路的电平转换,以进行块(block)选择。
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