[发明专利]涂敷处理装置和杯体

说明书

本发明在以旋转式在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理装置中，防止涂敷液被设置于杯体内的气流控制板弹返而飞散到晶片的表面上。抗蚀剂涂敷装置包括收纳旋转卡盘(121)并从底部排气的杯体，该杯体包括：与保持于旋转卡盘(121)的晶片(W)相比位于顶部侧，包围该晶片(W)的外周的气流控制部(151)；和支承气流控制部的支承部(153)，该支承部其一个端部与杯体(125)的内周面连接，另一个端部与上述一个端部相比位于顶部侧并且与气流控制部连接，在上述支承部形成有在与晶片的旋转轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔(153a)，在比该第1孔靠外侧下方的位置形成有在晶片的旋转轴方向上穿透的形状的第2孔(153b)。

技术领域

本发明涉及在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理装置和该涂敷处理装置中使用的杯体。

背景技术

例如在半导体器件的制造工艺中的光刻工序中进行：例如在作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂敷规定的涂敷液，形成防反射膜和抗蚀剂膜这样的涂敷膜的涂敷处理。

在上述的涂敷处理中，广泛使用所谓的旋转涂敷法，即：从喷嘴对旋转中的晶片的中心部供给涂敷液，利用离心力在晶片上使涂敷液扩散，由此在晶片上形成涂敷膜。在用于进行旋转涂敷法的旋转式的涂敷处理装置中，为了防止从旋转的晶片的表面飞散的涂敷液飞散到周围，设置有被称为杯体(cup)的容器。另外，为了防止使晶片旋转时从晶片的缘部飞散的抗蚀剂液称为雾状飞舞到杯体的上方而污染杯体外，从杯体的底部进行排气。

已知像这样在以旋转式进行涂敷且从杯体的底部排气的情况下，晶片的外周部的涂敷膜的厚度变大。为了防止这一情况，在专利文献1公开的涂敷处理装置中，在上述杯体内设置有包围被旋转的晶片的外周的控制晶片附近的气流的气流控制板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-189266号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，在像专利文献1这样设置有气流控制板的情况下，有时会因为气流控制板相对于被旋转的晶片的位置、或涂敷膜形成期间的晶片的转速而使从晶片飞散的涂敷液被气流控制板弹返而飞散到晶片的表面上。

本发明鉴于上述问题，目的在于在如上所述的以所谓旋转式在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理装置中，防止涂敷液被设置于杯体内的气流控制结构弹返而飞散到晶片的表面上。

用于解决课题的技术方案

为了达成上述目的，本发明提供给一种涂敷处理装置，其在基板上涂敷涂敷液，上述涂敷处理装置的特征在于，包括：保持基板并使该基板旋转的基板保持部；对保持于该基板保持部的基板涂敷涂敷液的涂敷液供给部件；和收纳上述基板保持部，从底部进行排气的杯体，该杯体包括：与保持于上述基板保持部的基板相比位于顶部侧，包围该基板的外周的气流控制部；和支承上述气流控制部的支承部，该支承部其一个端部与该杯体的内周面连接，另一个端部连接有与上述一个端部相比位于顶部侧的上述气流控制部，并且，在上述支承部形成有在与上述基板的旋转轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔，在比该第1孔靠外侧下方的位置形成有在上述基板的旋转轴方向上穿透的形状的第2孔。

根据本发明，气流控制板与基板相比位于顶部侧，并且在支承气流控制部的支承部形成有在与基板的旋转轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔，所以从晶片飞散的涂敷液不会被气流控制板或支承部弹返。因此，能够防止涂敷液被设置于杯体内的气流控制结构弹返而飞散到晶片的表面上。

优选上述第1孔的总面积形成得比上述第2孔的总面积大。

优选上述第1孔形成于上述支承部的与被上述基板保持部保持的基板的外周端相对的位置。

与被上述基板保持部保持的基板的外周端相对的位置，例如是从比上述基板的表面靠上侧0.8mm～4mm至比上述基板的表面靠下侧2mm～5mm的部分。