[发明专利]涂敷处理装置和杯体有效
申请号: | 201810207953.3 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108630529B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 畠山真一;川上浩平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种涂敷处理装置,其在基板上涂敷涂敷液,所述涂敷处理装置的特征在于,包括:
保持基板并使该基板旋转的基板保持部;
对保持于该基板保持部的基板涂敷涂敷液的涂敷液供给部件;和
收纳所述基板保持部,从底部进行排气的杯体,
该杯体包括:
与保持于所述基板保持部的基板相比位于顶部侧,包围该基板的外周的气流控制部;
支承所述气流控制部的支承部;和
设置在所述杯体的外周部的周壁,
该支承部其一个端部与所述周壁的内周面连接,另一个端部连接有与所述一个端部相比位于顶部侧的所述气流控制部,并且,
在所述支承部设置有在与所述基板的旋转轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔,在比该第1孔靠外侧下方的位置设置有在所述基板的旋转轴方向上穿透的形状的第2孔,
所述第1孔形成于所述支承部的与保持于所述基板保持部的基板的外周端相对的位置。
2.如权利要求1所述的涂敷处理装置,其特征在于:
所述第1孔的总面积比所述第2孔的总面积大。
3.如权利要求1或2所述的涂敷处理装置,其特征在于:
与保持于所述基板保持部的基板的外周端相对的位置,是从比所述基板的表面靠上侧0.8mm~4mm至比所述基板的表面靠下侧2mm~5mm的部分。
4.一种杯体,其形成为顶部开口的有底筒状,从底部进行排气,且能够收纳用于保持基板并使该基板旋转的基板保持部,所述杯体的特征在于,包括:
以规定的轴为中心的环状的气流控制部;
支承所述气流控制部的支承部;和
设置在所述杯体的外周部的周壁,
该支承部其一个端部与该杯体的内周面连接,与所述一个端部相比位于顶部侧的另一个端部与所述气流控制部连接,并且,
在所述支承部形成有在与所述规定的轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔,在比该第1孔靠外侧的位置形成有在所述规定的轴的方向上穿透的形状的第2孔,
所述第1孔形成于所述支承部的与保持于所述基板保持部的基板的外周端相对的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造