[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法，多晶硅薄膜的制备方法包括：采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜；采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。通过变化的成膜速率对非晶硅薄膜进行沉积成膜，使得非晶硅薄膜可分别在较大和较小的成膜速率下成膜，在较大的成膜速率下，能够有效提高生产效率，并且使得非晶硅薄膜的折射率较低，进而减小与氛围气体之间的折射率的差值，降低了界面反射的反射率，有效提高激光的利用率，而在较小的成膜速率下成膜时，能够使得非晶硅薄膜的成膜效果更佳。

技术领域

本发明涉及多晶硅薄膜制备技术领域，特别是涉及多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

相比于非晶硅薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管对有源层硅膜的膜质要求更高，为了得到更好膜质的硅膜，多晶硅薄膜晶体管制备中，硅膜沉积工艺PECVD的成膜速率一般比非晶硅低很多，这导致了成膜工艺时间的拉长。

此外，在成膜之后非晶硅转为为多晶硅的准分子激光器晶化工艺中，因为硅膜和氛围气体(一般为N2)的折射率相差很多，比如，氛围气体为氮气(N₂)，氮气的折射率约为1.0，而硅膜的折射率约为3.42，由于两者的折射率相差较大，导致激光照射在硅膜表面时会生产较大的界面反射，由此而降低了激光的利用率，而为了降低激光的反射率，提高激光利用率，需要额外增加设备的运行及维护成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法。

一种阵列基板，包括：

采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜；

采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。

在其中一个实施例中，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤包括：

采用逐渐增大的成膜速率沉积形成所述非晶硅薄膜。

在其中一个实施例中，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤包括：

采用逐渐减小的成膜速率沉积形成所述非晶硅薄膜。

在其中一个实施例中，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤包括：

首先采用逐渐增大的成膜速率沉积，随后采用逐渐减小的成膜速率沉积，形成所述非晶硅薄膜。

在其中一个实施例中，采用逐渐减小的成膜速率沉积形成的部分的非晶硅薄膜的厚度为所述非晶硅薄膜的厚度的五分之一至二分之一。

在其中一个实施例中，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤包括：

首先采用逐渐减小的成膜速率沉积，随后采用逐渐增大的成膜速率沉积，形成所述非晶硅薄膜。

在其中一个实施例中，采用逐渐增大的成膜速率沉积形成的部分的非晶硅薄膜的厚度为所述非晶硅薄膜的厚度的五分之一至二分之一。

在其中一个实施例中，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤中，通过以下至少一种方式调整所述非晶硅薄膜的成膜速率，以使所述非晶硅薄膜的成膜速率变化：

调整成膜腔室内的温度；

调整上电极和下电极之间的间距；

调整施加在所述上电极的电源的功率；

调整所述成膜腔室内的气压；

调整所述成膜腔室内的沉积气体的浓度。

一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管中的多晶硅薄膜采用上述任一实施例中的所述多晶硅薄膜的制备方法制备而成。