[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810204001.6 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108417478B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 任思雨;陈卓;徐先新;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管 及其 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
采用逐渐变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜，其中，在较大的成膜速率下以使得非晶硅薄膜的折射率较低，在较小的成膜速率下以使得非晶硅薄膜的整体厚度均匀；
采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤包括：
采用逐渐增大的成膜速率沉积形成所述非晶硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤包括：
采用逐渐减小的成膜速率沉积形成所述非晶硅薄膜。
4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤包括：
首先采用逐渐增大的成膜速率沉积，随后采用逐渐减小的成膜速率沉积，形成所述非晶硅薄膜。
5.根据权利要求4所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，采用逐渐减小的成膜速率沉积形成的部分的非晶硅薄膜的厚度为所述非晶硅薄膜的厚度的五分之一至二分之一。
6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤包括：
首先采用逐渐减小的成膜速率沉积，随后采用逐渐增大的成膜速率沉积，形成所述非晶硅薄膜。
7.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，采用逐渐增大的成膜速率沉积形成的部分的非晶硅薄膜的厚度为所述非晶硅薄膜的厚度的五分之一至二分之一。
8.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜的步骤中，通过以下至少一种方式调整所述非晶硅薄膜的成膜速率，以使所述非晶硅薄膜的成膜速率变化：
调整成膜腔室内的温度；
调整上电极和下电极之间的间距；
调整施加在所述上电极的电源的功率；
调整所述成膜腔室内的气压；
调整所述成膜腔室内的沉积气体的浓度。
9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管中的多晶硅薄膜采用权利要求1-8中任一项所述多晶硅薄膜的制备方法制备而成。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
