[发明专利]平板探测器基板及其制备方法、平板探测器

说明书

本发明提供一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器，属于传感器制造技术领域，其可解决现有的X射线平板探测器的阵列基板制备过程中，刻蚀半导体层时容易对光电二极管的第一极造成过刻的问题。本发明的平板探测器基板的制备方法包括：通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形；在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层，并通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的图形；其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物。

技术领域

本发明属于传感器制造技术领域，具体涉及一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器。

背景技术

X射线平板探测器包括阵列基板，阵列基板上包括多个感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管和光电二极管。具体的，以薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管、光电二极管为PIN型光电二极管为例，现有技术中，X射线平板探测器的阵列基板的制备工艺主要包括以下步骤：

S01、通过构图(Mask)工艺在衬底基板上依次形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源极和漏极；

S02、在完成上述步骤的衬底基板上沉积形成钝化层，并通过构图工艺形成过孔；

S03、通过构图工艺形成光电二极管的第一极，该第一极通过过孔与薄膜晶体管的漏极连接；

S04、通过构图工艺形成半导体层(包括N型半导体、I型半导体和P型半导体)；

S05、在完成上述步骤的衬底基板上沉积形成层间绝缘层，并通过构图工艺形成过孔；

S06、通过构图工艺形成光电二极管的第二极，该第二极通过层间绝缘层上的过孔与半导体层连接。

其中，由于半导体层非常厚，且半导体层的刻蚀均一性较差，导致在对半导体层进行刻蚀时，容易造成对光电二极管的第一极以及钝化层的过刻，从而导致X射线平板探测器出现灰度不均，光电二极管的漏电流偏大等问题，严重影响产品的特性及性能。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种能够有效防止在刻蚀半导体材料层时对第一极造成过刻的平板探测器基板的制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种平板探测器基板的制备方法，包括：

通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形；

在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层，并通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的图形；其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物。

优选的，所述平板探测器基板包括光电二极管区；形成所述刻蚀阻挡层和所述光电二极管的半导体层的步骤具体包括：

在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层；

通过干法刻蚀工艺，去除所述光电二极管区以外的半导体材料层，以形成所述半导体层；

通过湿法刻蚀工艺，去除裸露的所述刻蚀阻挡材料层，以形成所述刻蚀阻挡层。

优选的，所述金属氧化物包括氧化铟锡和氧化铟镓锌中的至少一种。

优选的，在所述通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形的步骤之前，还包括：

在形成有薄膜晶体管的源极和漏极的基底上形成钝化层，并在所述钝化层与所述漏极对应的位置形成第一过孔；

所述光电二极管的第一极通过所述第一过孔与所述漏极连接。

优选的，在形成所述光电二极管的第一极的同时，还形成有薄膜晶体管的源极和漏极；其中，所述漏极与所述光电二极管的第一极一体成型。