[发明专利]平板探测器基板及其制备方法、平板探测器

权利要求书

1.一种平板探测器基板的制备方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形；

在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层；

在沉积有半导体材料层的基底上，通过构图工艺形成包括所述光电二极管的半导体层的图形；通过构图工艺形成包括刻蚀阻挡层的图形；其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物；

在所述通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形的步骤之前，还包括：

在形成有薄膜晶体管的源极和漏极的基底上形成钝化层，并在所述钝化层与所述漏极对应的位置形成第一过孔；

所述光电二极管的第一极通过所述第一过孔与所述漏极连接。

2.根据权利要求1所述的平板探测器基板的制备方法，其特征在于，所述平板探测器基板包括光电二极管区；形成所述刻蚀阻挡层和所述光电二极管的半导体层的步骤具体包括：

在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层；

通过干法刻蚀工艺，去除所述光电二极管区以外的半导体材料层，以形成所述半导体层；

通过湿法刻蚀工艺，去除裸露的所述刻蚀阻挡材料层，以形成所述刻蚀阻挡层。

3.根据权利要求1所述的平板探测器基板的制备方法，其特征在于，

所述金属氧化物包括氧化铟锡和氧化铟镓锌中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的平板探测器基板的制备方法，其特征在于，在所述通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的图形的步骤之后，还包括：

在形成有刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的基底上形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层与所述半导体层对应的位置形成第二过孔；

通过构图工艺形成包括光电二极管的第二极的图形，所述光电二极管的第二极通过所述第二过孔与所述半导体层连接。

5.一种平板探测器基板，其特征在于，包括：

基底；

依次设置于基底上的光电二极管的第一极和半导体层；

所述平板探测器基板还包括设置于所述第一极与所述半导体层之间的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层在所述基底上的正投影至少覆盖所述光电二极管的半导体层在所述基底上的正投影；且所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物；所述平板探测器基板还包括：

设置在所述基底上的薄膜晶体管；

设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层上方的钝化层；其中，

在所述钝化层与所述漏极对应的位置设置有第一过孔；所述光电二极管位于所述钝化层上方，且所述光电二极管的第一极通过所述第一过孔与所述漏极连接。

6.一种平板探测器，其特征在于，包括权利要求5中所述的平板探测器基板。