[发明专利]一种摄像模组的芯片贴装工艺以及摄像模组在审
申请号: | 201810201708.1 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108649040A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 蒋恒 | 申请(专利权)人: | 宁波舜宇光电信息有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 刘晓丹 |
地址: | 315400 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像模组 基板 芯片 芯片贴装 压敏胶 上芯片 镜头单元 压敏胶层 镜头 滤光片 平行度 有效地 组合座 场曲 覆压 敏胶 贴合 贴装 覆盖 固化 图像 | ||
本发明公开了一种摄像模组的芯片贴装工艺,包括芯片与基板,在所述的基板上芯片贴付区域上涂覆压敏胶,对压敏胶进行固化后贴付芯片。在基板上芯片覆盖的区域上充分覆盖压敏胶,使芯片与基板间完全贴合,贴装方便,压敏胶的厚度易控。本发明还公开了采用上述芯片贴装工艺的摄像模组,包括镜头单元、镜头组合座、滤光片、芯片以及基板,所述的芯片与基板之间通过压敏胶层贴付,芯片与镜头间具有良好的平行度,有效地解决了摄像模组中长期存在且难以解决的场曲问题,从而使本发明的摄像模组能够获得最佳的图像清晰度。
技术领域
本发明涉及摄像模组制造技术,尤其是涉及一种摄像模组的芯片贴装工艺以及通过该工艺制造得到的摄像模组。
背景技术
目前在摄像模组的加工工艺中,通过DA(Die Attach芯片贴装)胶结合芯片与基板是必不可少的一道工序。
现有工艺中,一般通过在基板的芯片覆盖区域用胶画“米”字型、“C”字型、雪花型或其他未覆盖全部芯片覆盖区域的画法,当芯片被贴付在所述覆盖区域上时,利用压力的作用使得DA胶扩散,从而完成贴付。
但采用上述方法,芯片与基板之间的DA胶未完全覆盖从而存在间隙,会有气泡产生;同时由于常规DA胶具有一定的流动性,加上芯片在贴付的时候由于不一定能与基板完全保证平行,芯片与基板之间的DA胶厚度在不同区域内略有各不相同,最终将导致贴付后的芯片倾斜;又由于常规DA工艺为先粘接再固化胶水,DA胶在固化过程中会对芯片产生一定的收缩应力,从而影响到芯片的场曲。更严重的情况是,在加工过程中,如果基板有微量的弯曲,采用上述方法,由于DA胶未能完全覆盖芯片贴付区域,将会使得芯片无法与基板完全贴付,从而使贴付后的芯片产生较大的倾斜,严重影响芯片的光学性能。
现有技术中,还采用对芯片进行封装,即先将芯片贴装到基板上,然后再将所述芯片和线路板进行模塑,使塑封材料将芯片非感光区及四周的被动元件、金线全部浇铸在一起形成模塑底座,形成整体结构,从而达到了减小摄像模组尺寸的目的,增强产品的可靠性。但是,在模塑过程中,由于合模压力及塑封材料塑封过程中温度的影响,如果采用现有技术的芯片贴装工艺,由于DA胶未能完全覆盖芯片贴付区域,或者DA胶厚度在不同区域内略有相同,都将会使得芯片由于受力不均而导致破碎。
发明内容
本发明提供一种摄像模组的芯片贴装工艺,在基板上芯片覆盖的区域上充分覆盖压敏胶,使芯片与基板间完全贴合,贴装方便,压敏胶的厚度易控。
一种摄像模组的芯片贴装工艺,包括芯片与基板,在所述的基板上芯片贴付区域上涂覆压敏胶,对压敏胶进行固化后贴付芯片。
所述基板上涂覆压敏胶的区域至少覆盖芯片贴付区域的90%。
本发明的涂覆压敏胶最后形成的胶面图形为整块的图形,并且至少覆盖芯片贴付区域的90%,从而能够为芯片提供一个稳定的贴付平面,并且由于压敏胶的特性使得涂覆的压敏胶不会在芯片进行贴付的时候由于受压产生变化,压敏胶相当于在芯片和基板之间会形成一缓冲层,从而减小基板对芯片的影响。
在对需要进行正面模塑的模组来说,其由于在模塑时需要对芯片进行一定的压力,从而对芯片的底面平整度的要求较高,以减少芯片由于受力不均而碎裂的情况,此时通过本发明涂覆的压敏胶能提供一个平整的底面,不会使芯片与线路板之间产生空隙,并且压敏胶有一定的缓冲作用,进一步保护了芯片不会由于模塑时受压而碎裂。
优选地,所述的压敏胶为有机硅压敏胶或丙烯酸压敏胶,均为市售产品。
优选地,所述的压敏胶为有机硅压敏胶,其耐温性好,且压敏胶粘度可以通过溶剂进行调节。
优选地,所述的涂覆压敏胶采用喷射法或喷雾法。可采用像正庚烷等的有机溶剂调节压敏胶的粘度,使压敏胶粘度为100-5000cps,此粘度下,喷胶更均匀、顺畅。
所述的喷射法为:通过喷射阀在基板上芯片覆盖的区域上形成由点阵组成的压敏胶面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的