[发明专利]焊盘结构和集成电路晶粒

说明书

本发明公开一种焊盘结构，形成在集成电路晶粒上，包括：第一导电层，形成在集成电路晶粒的上表面上并具有中空部分；介电层，覆盖所述第一导电层；第二导电层，形成在所述介电层上并电连接到所述第一导电层；以及钝化层，覆盖所述第二导电层，并具有暴露所述第二导电层以接收接合引线的开口。由于第一导电层具有中空部分，并且在第一导电层上方的第二导电层接收接合引线，第一导电层的机械应力可以得到释放。并且当接合引线接合到第二导电层上时，第一导电层不容易发生例如破裂等损坏，从而降低了焊盘结构在引线接合期间损坏的可能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地涉及一种焊盘结构和集成电路晶粒。

背景技术

常规IC(integrated circuit，集成电路)晶粒(die)包括用于接收接合引线(bonding wire)的焊盘(pad)结构。在将接合引线接合(bond)到焊盘结构期间，接合力(bonding force)可能导致焊盘结构的损坏。特别是当焊盘结构包括UTM(ultra thickmetal，超厚金属)层时，由于UTM层的机械应力，焊盘结构在引线接合期间更有可能损坏。

因此，如何降低焊盘结构在引线接合期间损坏的可能，成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种焊盘结构和集成电路晶粒，以降低焊盘结构在引线接合期间损坏的可能。

根据本发明的第一方面，公开一种焊盘结构，形成在集成电路晶粒上，包括：

第一导电层，形成在集成电路晶粒的上表面上并具有中空部分；

介电层，覆盖所述第一导电层；

第二导电层，形成在所述介电层上并电连接到所述第一导电层；以及

钝化层，覆盖所述第二导电层，并具有暴露所述第二导电层以接收接合引线的开口。

根据本发明的第二个方面，公开一种集成电路晶粒，包括：

硅基板；以及

焊盘结构，所述焊盘结构为如上述任一所述的一种焊盘结构，并形成在所述硅基板上。

本发明提供的焊盘结构由于第一导电层具有中空部分，并且在第一导电层上方的第二导电层接收接合引线，第一导电层的机械应力可以得到释放。并且当接合引线接合到第二导电层上时，第一导电层不容易发生例如破裂等损坏，从而降低了焊盘结构在引线接合期间损坏的可能。

在阅读了随后以不同附图展示的优选实施例的详细说明之后，本发明的这些和其它目标对本领域普通技术人员来说无疑将变得明显。

附图说明

图1示出了根据本发明实施例的设置在基板上的IC晶粒的示意图；

图2A示出了图1的焊盘结构的俯视图；

图2B示出了图2A的焊盘结构沿着2B-2B'方向的横截面图；

图3示出了根据本发明另一实施例的焊盘结构的示意图。

具体实施方式

在说明书和随后的权利要求书中始终使用特定术语来指代特定组件。正如本领域技术人员所认识到的，制造商可以用不同的名称指代组件。本文件无意于区分那些名称不同但功能相同的组件。在以下的说明书和权利要求中，术语“包含”和“包括”被用于开放式类型，因此应当被解释为意味着“包含，但不限于...”。此外，术语“耦合”旨在表示间接或直接的电连接。因此，如果一个设备耦合到另一设备，则该连接可以是直接电连接，或者经由其它设备和连接的间接电连接。

以下描述是实施本发明的最佳设想方式。这一描述是为了说明本发明的一般原理而不是用来限制的本发明。本发明的范围通过所附权利要求书来确定。