[发明专利]焊盘结构和集成电路晶粒在审
| 申请号： | 201810201455.8 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108573945A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈俊良 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一导电层 第二导电层 集成电路晶粒 焊盘结构 接合引线 介电层 中空 机械应力 引线接合 接合 电连接 钝化层 上表面 覆盖 开口 破裂 释放 暴露 | ||
1.一种焊盘结构，形成在集成电路晶粒上，其特征在于，包括：
第一导电层，形成在所述集成电路晶粒的上表面上并具有中空部分；
介电层，覆盖所述第一导电层；
第二导电层，形成在所述介电层上并电连接到所述第一导电层；以及
钝化层，覆盖所述第二导电层，并具有暴露所述第二导电层以接收接合引线的开口。
2.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一导电层直接形成在所述集成电路晶粒的硅基板的上表面上。
3.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一导电层具有与所述集成电路晶粒的硅基板的上表面对齐的下表面。
4.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，还包括：
通孔，穿过所述介电层；以及
导电部分，形成在所述通孔内，以电连接所述第一导电层与所述第二导电层。
5.如权利要求4所述的焊盘结构，其特征在于，所述导电部分为条状。
6.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述中空部分填充有所述介电层。
7.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一导电层具有第一中空部及多个第二中空部，所述第一中空部上下对应于所述开口，且所述第二中空部上下对应于所述钝化层。
8.如权利要求7所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一中空部具有与所述开口的面积相等的面积。
9.如权利要求7所述的焊盘结构，其特征在于，每个第二中空部呈沿着所述集成电路晶粒的上表面的方向延伸的条形。
10.如权利要求4所述的焊盘结构，其特征在于，所述导电部分以直线、曲线或直线与曲线的组合延伸。
11.如权利要求4所述的焊盘结构，其特征在于，其中所述导电部分包括环状部以及多个与所述环状部连接的条状部。
12.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一导电层具有形成在所述第一导电层的多个拐角上的多个倒角。
13.一种集成电路晶粒，其特征在于，包括：
硅基板；以及
焊盘结构，所述焊盘结构为如权利要求1-12任一所述的一种焊盘结构，并形成在所述硅基板上。
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