[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置(10)具有：布线层(5)，其包含设置于基板(1)上的包含铝或铝合金的布线膜(6)和设置于布线膜(6)上的氮化钛膜(7)；保护层(9)，其覆盖布线层(5)的上表面(5a)和侧面(5b)；和焊盘部(8)，其是贯通保护层(9)和氮化钛膜(7)且布线膜(6)露出而成的，保护层(9)是从布线层(5)侧依次层叠第1氮化硅膜(41)、氧化膜(3)和第2氮化硅膜(42)而成的。不易产生包含氮化钛的防反射膜的腐蚀，能够利用一次光刻工序对焊盘部进行开口。

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，作为半导体装置，具有下述半导体装置：其具有设置于基板上的包含铝或铝合金的布线、设置于布线上的包含氮化钛的防反射膜和设置于防反射膜上的氧化膜，在形成于氧化膜的开口部与形成于防反射膜的开口部在俯视时重叠的位置上，形成有布线露出而成的焊盘部。对于这样的半导体装置而言，由于高温高湿度环境下的长期可靠性试验(THB)，形成包围开口部的防反射膜的氮化钛有时会发生腐蚀。

为了解决该问题，提出了形成防反射膜的氮化钛不在开口部内露出的半导体装置。

例如在专利文献1中提出了一种半导体装置，其具备：在焊盘上形成有第1开口部的第1表面保护膜；和在焊盘上形成有第2开口部且形成于焊盘和第1表面保护膜上的第2表面保护膜，焊盘具有第1导体膜和形成于第1导体膜上的防反射膜，在第1开口部的内部区域内包有第2开口部，在第1开口部的内部区域防反射膜被除去。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5443827号

发明内容

发明所要解决的课题

但是，对于专利文献1所示的方法而言，在焊盘开口的处理中需要进行两次光刻工序，存在工时增加的问题。

另外，对于现有的半导体装置而言，特别是在包含氮化钛的防反射膜上设置氧化硅膜且氮化钛和氧化硅膜在焊盘开口部露出的情况下，由于高温高湿度环境下的长期可靠性试验(THB)，有时防反射膜会形成氧化钛而引起外观不良。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供一种半导体装置及其制造方法，即使在包含氮化钛的防反射膜上设置氧化硅膜，也不易产生包含氮化钛的防反射膜的腐蚀，并且能够利用一次光刻工序对焊盘部进行开口。

用于解决课题的手段

本发明人为了解决上述课题而进行了反复深入的研究。

其结果发现，使覆盖在布线膜上设置有氮化钛膜的布线层的上表面和侧面的保护层形成为在两个氮化硅膜之间配置有氧化膜的3层结构即可，从而想到了本发明。

即，本发明涉及下述内容。

一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具有：

布线层，该布线层包含设置于基板上的布线膜和设置于上述布线膜上的氮化钛膜；

保护层，该保护层覆盖上述布线层的上表面和侧面；和

焊盘部，该焊盘部是贯通上述保护层和上述氮化钛膜且上述布线膜露出而成的，

上述保护层是从上述布线层侧依次层叠第1氮化硅膜、氧化膜和第2氮化硅膜而成的。

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法具有：

布线层形成工序，该工序在基板上依次形成布线膜和氮化钛膜并进行图案化由此形成布线层；