[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810200156.2 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108573944A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 五十岚觉;加藤伸二郎;长谷川尚;秋野胜;井村行宏 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;崔立宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 保护层 布线膜 氮化硅膜 氮化钛膜 布线层 防反射膜 一次光刻 依次层叠 氮化钛 覆盖布 焊盘部 铝合金 上表面 氧化膜 对焊 基板 盘部 线层 制造 开口 腐蚀 贯通 侧面 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置具有：
布线层，该布线层包含设置于基板上的布线膜和设置于所述布线膜上的氮化钛膜；
保护层，该保护层覆盖所述布线层的上表面和侧面；和
焊盘部，该焊盘部是贯通所述保护层和所述氮化钛膜且所述布线膜露出而成的，
所述保护层是从所述布线层侧依次层叠第1氮化硅膜、氧化膜和第2氮化硅膜而成的。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1氮化硅膜的厚度为
3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
该制造方法具有：
布线层形成工序，该工序在基板上依次形成布线膜和氮化钛膜并进行图案化由此形成布线层；
保护层形成工序，该工序按照覆盖所述布线层的上表面和侧面的方式依次形成第1氮化硅膜、氧化膜和第2氮化硅膜由此形成保护层；和
焊盘部形成工序，该工序对所述保护层和所述氮化钛膜进行蚀刻由此设置贯通所述保护层和所述氮化钛膜且所述布线膜露出而成的焊盘部。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述保护层形成工序中，形成厚度的所述第1氮化硅膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工半导体有限公司，未经精工半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810200156.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置和半导体装置的制造方法
- 下一篇：焊盘结构和集成电路晶粒
