[发明专利]表面装贴熔断器及其制法

权利要求书

1.一种表面装贴熔断器，其包括陶瓷基体、设于所述陶瓷基体内部的熔断元件和包覆于所述陶瓷基体相对两端的二端电极，所述陶瓷基体成形有两层以上的基体层，所述基体层之间设有所述熔断元件，所述熔断元件的相对两端与所述端电极导电连接；其特征在于：

所述陶瓷基体，其基体层包括填玻璃陶瓷层及填锡陶瓷层，所述填玻璃陶瓷层包括位于熔断器中段位置的玻璃区域以及位于熔断器两端位置的陶瓷区域，所述填玻璃陶瓷层是通过在低温共烧陶瓷带中间打孔后填入玻璃材料后形成的层结构，所述玻璃区域的玻璃材料厚度与所述陶瓷区域的陶瓷材料的厚度相同，且所述玻璃材料显露于所述填玻璃陶瓷层的两侧表面上；所述填锡陶瓷层包括位于熔断器中段位置的填锡区域以及位于熔断器两端位置的陶瓷区域，所述填锡陶瓷层设于所述填玻璃陶瓷层之上；

所述熔断元件，具有相对二表面，所述熔断元件的一侧表面与所述填锡陶瓷层接触，所述熔断元件的另一侧表面与所述与所述填玻璃陶瓷层接触；所述熔断元件是铜构成的层结构；所述熔断元件设于所述填玻璃陶瓷层与所述填锡陶瓷层之间，所述熔断元件的中间区域与所述玻璃区域及所述填锡区域重叠，所述熔断元件的两端区域与所述填玻璃陶瓷层及所述填锡陶瓷层的陶瓷区域重叠。

2.一种表面装贴熔断器的制法，所述熔断器包括陶瓷基体、设于所述陶瓷基体内部的熔断元件和包覆于所述陶瓷基体相对两端的二端电极；其特征在于，所述陶瓷基体包括两层以上的基体层，所述陶瓷基体是由选自陶瓷层、填玻璃陶瓷层、填锡陶瓷层或其组合的基体层层叠形成；所述熔断器的熔断元件的至少一侧表面与所述填玻璃陶瓷层接触叠合；其中，所述制法的步骤包括：

填玻璃陶瓷层形成步骤：提供低温共烧陶瓷带(LTCC Tape)，在所述低温共烧陶瓷带中段位置打孔形成贯通带体的空窗区域；在所述空窗区域内通过丝网印刷技术填入并形成与所述低温共烧陶瓷带相同厚度的玻璃层；

熔断元件形成步骤：提供熔点介于玻璃熔点与陶瓷熔点之间的金属浆料，以印刷技术将金属浆料涂布在所述填玻璃陶瓷层及/或其他基体层上以形成金属层；

基体层层叠共烧步骤：将所述填玻璃陶瓷层形成步骤制成的另一填玻璃陶瓷层或者其他基体层层叠于所述金属层上，令所述熔断元件形成步骤制成的金属层的单侧表面或双侧表面与所述填玻璃陶瓷层接触叠合，且令填玻璃陶瓷层的玻璃材料与所述金属层的中段区域重叠，以将层叠后的多层基体层共烧形成所述陶瓷基体；

端电极形成步骤：在所述陶瓷基体的相对两端通过电镀技术形成端电极，制得表面装贴熔断器。

3.根据权利要求2所述的表面装贴熔断器的制法，其特征在于：

所述陶瓷基体包括两层基体层，其中一基体层成形为所述填玻璃陶瓷层，另一基体层成形为所述填锡陶瓷层并设于所述填玻璃陶瓷层之上；所述制法的步骤依序包括所述填玻璃陶瓷层形成步骤、所述熔断元件形成步骤、填碳陶瓷层形成步骤、所述基体层层叠共烧步骤、填锡步骤以及所述端电极形成步骤，其中：

所述熔断元件形成步骤：提供铜浆料，以印刷技术将铜浆料印刷于所述填玻璃陶瓷层上以形成铜层；

所述填碳陶瓷层形成步骤：提供低温共烧陶瓷带(LTCC Tape)，在所述低温共烧陶瓷带中段位置打孔形成贯通带体的空窗区域；在所述空窗区域内通过丝网印刷技术填入并形成与所述低温共烧陶瓷带相同厚度的碳层；

所述基体层层叠共烧步骤：将所述填碳陶瓷层层叠于所述铜层上；令所述熔断元件形成步骤制成的铜层的一侧表面与所述填玻璃陶瓷层接触叠合，另一侧表面与所述填碳陶瓷层接触叠合，且令所述铜层的中段区域与所述填玻璃陶瓷层的玻璃材料及所述填碳陶瓷层的碳材料重叠，以将层的多层基体层共烧粘合并去除所述碳材料，形成上表面中段区域内凹有填料空间的陶瓷基体半成品；

所述填锡步骤：在所述陶瓷基体半成品的填料空间内通过丝网印刷技术填入并形成与所述填料空间厚度相同的锡层，形成具有填锡陶瓷层的陶瓷基体；

所述端电极形成步骤：对完成填锡步骤的所述陶瓷基体的相对两端，通过电镀技术形成端电极，制得表面装贴熔断器。

4.根据权利要求2所述的表面装贴熔断器的制法，其特征在于：

所述陶瓷基体包括两层基体层，所述两层基体层皆成形为所述填玻璃陶瓷层；

所述熔断元件设于所述两层填玻璃陶瓷层之间，所述熔断元件的中间区域与所述两层填玻璃陶瓷层的玻璃区域重叠。