[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

一种半导体封装装置包括衬底、电子组件及保护层。所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述衬底限定穿透所述衬底的第一开口。所述电子组件安置于所述衬底的所述第一表面上。所述保护层安置于所述衬底的所述第二表面上。所述保护层具有邻近所述第一开口的第一部分及安置成比所述保护层的所述第一部分更远离所述第一开口的第二部分。所述保护层的所述第一部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面。所述保护层的所述第二部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面。所述保护层的所述第一部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离大于所述保护层的所述第二部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离。

技术领域

本发明通常涉及半导体封装装置及其制造方法。本发明涉及包含排气孔的半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

在光学平面栅格阵列(OLGA)结构中，衬底限定穿透所述衬底的排气孔(或开口)。在单体化过程期间，OLGA结构附接于胶带上以避免污染物(例如水、其它颗粒或材料碎屑)进入排气孔进而污染或损坏芯片或裸片。然而，由于高度差(例如，覆盖衬底上的导电衬垫或迹线的保护层的高度大于直接位于衬底上的保护层的高度)，直接位于衬底上的不覆盖导电衬垫或迹线的保护层无法紧密地或气密地附接至胶带，这可能在保护层与胶带之间留下间隙。因此，污染物可经由保护层与胶带之间的间隙进入排气孔而污染或损坏芯片或裸片。

发明内容

在一个方面中，根据一些实施例，半导体封装装置包含衬底、电子组件及保护层。衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。衬底限定穿透所述衬底的第一开口。电子组件安置于衬底的第一表面上。保护层安置于衬底的第二表面上。保护层具有邻近第一开口的第一部分及比保护层的第一部分更远离第一开口的第二部分。保护层的第一部分具有背离衬底的第二表面的表面。保护层的第二部分具有背离衬底的第二表面的表面。保护层的第一部分的表面与所述衬底的第二表面之间的距离大于保护层的第二部分的表面与衬底的第二表面之间的距离。

在另一方面中，根据一些实施例，半导体封装装置包含衬底、电子组件、金属结构及保护层。衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。衬底限定穿透所述衬底的第一开口。电子组件安置于衬底的第一表面上。金属结构安置于衬底的第二表面上且邻近第一开口。保护层包含覆盖衬底的第二表面的第一部分及覆盖金属结构的第二部分。

在又一方面中，根据一些实施例，半导体封装装置包含衬底、电子组件、金属结构及保护层。衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。衬底限定穿透所述衬底的第一开口。电子组件安置于衬底的第一表面上。金属结构安置于衬底的第二表面上。保护层覆盖金属结构且沿衬底的第二表面延伸以限定在第一开口下方的第二开口。

附图说明

当结合随附图式阅读时，从以下实施方式最佳地理解本发明的方面。应注意，各种特征可不按比例绘制，且在图式中，为清晰论述起见，所描绘特征的尺寸可任意增大或减小。

图1说明根据本发明的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。

图2A说明根据本发明的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。

图2B说明根据本发明的一些实施例的半导体封装装置的仰视图。

图3说明根据本发明的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。

图4说明根据本发明的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。

图5说明根据本发明的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。

图6A及图6B说明制造半导体封装装置的比较方法。

图7说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。

贯穿图式及实施方式使用共同参考编号以指示相同或类似元件。将易于从结合随附图式作出的以下实施方式来理解本发明。