[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810191125.5 申请日: 2018-03-08
公开(公告)号: CN109712942B 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 房昱安;曾吉生 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装装置,其包括:

衬底,其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述衬底限定穿透所述衬底的第一开口;

电子组件,其安置于所述衬底的所述第一表面上;

保护层,其安置于所述衬底的所述第二表面上,所述保护层包括邻近所述第一开口的第一部分及安置成比所述保护层的所述第一部分更远离所述第一开口的第二部分,所述保护层的所述第一部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面,所述保护层的所述第二部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面,

其中所述保护层的所述第一部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离大于所述保护层的所述第二部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其进一步包括安置于所述衬底的所述第二表面上的导电衬垫,其中所述保护层进一步包含第三部分,所述第三部分覆盖所述导电衬垫的一部分且具有背离所述衬底的所述第二表面的表面,且其中所述保护层的所述第一部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的所述距离实质上等于或大于所述保护层的所述第三部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置,其中所述保护层与所述导电衬垫共形。

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其进一步包括安置于所述衬底的所述第二表面上且由所述保护层的所述第一部分覆盖的金属结构。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置,其中所述金属结构包括虚设衬垫或接地衬垫。

6.根据权利要求4所述的半导体封装装置,其中所述金属结构包围所述第一开口。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其进一步包括安置于所述衬底的所述第一表面上且覆盖所述电子组件的壳体。

8.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中所述保护层包含感光材料。

9.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中所述保护层沿所述衬底的所述第二表面延伸且突出超过所述第一开口的边缘以限定第二开口。

10.根据权利要求9所述的半导体封装装置,其中所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其进一步包括安置于所述衬底与所述电子组件之间的托架,其中所述托架限定与所述衬底的所述第一开口实质上对准的排气孔。

12.根据权利要求11所述的半导体封装装置,其进一步包括包围所述第一开口及所述排气孔的密封元件。

13.一种半导体封装装置,其包括

衬底,其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述衬底限定穿透所述衬底的第一开口;

电子组件,其安置于所述衬底的所述第一表面上;

金属结构,其安置于所述衬底的所述第二表面上且邻近所述第一开口;及

保护层,其包括覆盖所述衬底的所述第二表面的第一部分及覆盖所述金属结构的第二部分。

14.根据权利要求13所述的半导体封装装置,其中所述保护层的所述第一部分的厚度实质上与所述保护层的所述第二部分的厚度相同。

15.根据权利要求13所述的半导体封装装置,其中所述保护层的所述第二部分的表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离大于所述保护层的所述第一部分的表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离。

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