[发明专利]存储器及其制造方法、半导体器件

说明书

本发明提供一种存储器及其制造方法、半导体器件，在第一基底上形成多层金属互连层，形成一中介导接层体在多层金属互连层中最顶层的金属互连层上，并使中介导接层体与最顶层的金属互连层电性连接，之后提供形成有电容结构的第二基底，连接中介导接层体至所述第二基底，以使电容结构通过中介导接层体与多层金属互连层连接，最后去除第一基底，由此能够避免直接在电容结构上形成互连结构时存在的平坦化问题，由此提高各层金属互连层的平坦度，并且能够避免在现有技术中最后形成的顶层金属互连层由于光刻或填充等问题造成的空洞，提高最终形成的半导体器件的产品性能、成品率及可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其制造方法、半导体器件。

背景技术

用于集成电路的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MEOL)和后端制程(BEOL)工艺。FEOL工艺可包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、源极/漏极注入等步骤，MEOL工艺可包括栅极触点形成等步骤，BEOL工艺可包括用于将在FEOL和MEOL工艺期间创建的半导体器件通过金属互连层的方式互连。金属互连层设置在介电层内，该介电层形成在半导体衬底上方。

但是，由于在半导体衬底上已经形成了半导体器件，在BEOL工艺中，在形成金属互连层时，其半导体衬底表面不再是平坦的，该平坦化问题会积累到后续工艺中，因而给后续工艺带来很多问题，例如，各层金属互连层的平坦度问题，顶层金属互连层的空洞问题等，并最终影响其产品性能、可靠性和成品率。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种存储器及其制造方法，解决各层金属互连层的平坦度问题以及顶层金属互连层的空洞问题，提高产品性能、成品率和可靠性。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种存储器及其制造方法、半导体器件，避免顶层金属互连层内形成空洞，并提高各层金属互连层的平坦度，提高产品的性能及可靠性。

为实现上述目的，本发明提供一种存储器的制造方法，包括：

提供一第一基底，所述第一基底上形成有多层金属互连层；

形成一中介导接层体在所述多层金属互连层中最顶层的金属互连层上，所述中介导接层体具有多个柱状且相互分离的金属层，并使所述中介导接层体的所述金属层与所述最顶层的金属互连层电性连接；

提供一第二基底，所述第二基底上形成有电容结构；以及，

连接所述中介导接层体至所述第二基底，以使所述电容结构通过所述中介导接层体与所述多层金属互连层连接，并去除所述第一基底。

可选的，所述多层金属互连层中相邻的金属互连层之间形成有层间介质层，以及所述最顶层的金属互连层上形成有顶层介质层，所述中介导接层体贯通所述顶层介质层以和所述最顶层的金属互连层电性连接。

可选的，形成所述中介导接层体在所述多层金属互连层中最顶层的金属互连层上的步骤包括：

形成多个第一凹槽在所述顶层介质层中，所述第一凹槽暴露出所述最顶层的金属互连层；

填充导电材料在所述第一凹槽内，以形成所述中介导接层体，所述中介导接层体与顶部的所述金属互连层相连接。

可选的，形成所述中介导接层体在所述多层金属互连层中最顶层的金属互连层上的步骤包括：

提供一第三基底，所述第三基底上形成有多个规则排列的金属凸块；

形成一第一牺牲层在所述第三基底上，所述第一牺牲层围绕所述金属凸块的外围，并使所述第一牺牲层的上表面低于所述金属凸块的顶面；

形成一第一介质层在所述第三基底的所述第一牺牲层及所述金属凸块上，并且在所述第一介质层中形成有多个开口，所述开口暴露出所述金属凸块；