[发明专利]存储器及其制造方法、半导体器件

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底，所述第一基底上形成有多层金属互连层；

形成一中介导接层体在所述多层金属互连层中最顶层的金属互连层上，所述中介导接层体具有多个柱状且相互分离的金属层，并使所述中介导接层体的所述金属层与所述最顶层的金属互连层电性连接；

提供一第二基底，所述第二基底上形成有电容结构；以及，

连接所述中介导接层体至所述第二基底，以使所述电容结构通过所述中介导接层体与所述多层金属互连层连接，并去除所述第一基底。

2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述多层金属互连层中相邻的金属互连层之间形成有层间介质层，以及所述最顶层的金属互连层上形成有顶层介质层，所述中介导接层体贯通所述顶层介质层以和所述最顶层的金属互连层电性连接。

3.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述中介导接层体在所述多层金属互连层中最顶层的金属互连层上的步骤包括：

形成多个第一凹槽在所述顶层介质层中，所述第一凹槽暴露出所述最顶层的金属互连层；

填充导电材料在所述第一凹槽内，以形成所述中介导接层体，所述中介导接层体与所述最顶层的金属互连层相连接。

4.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述中介导接层体在所述多层金属互连层中最顶层的金属互连层上的步骤包括：

提供一第三基底，所述第三基底上形成有多个规则排列的金属凸块；

形成一第一牺牲层在所述第三基底上，所述第一牺牲层围绕所述金属凸块的外围，并使所述第一牺牲层的上表面低于所述金属凸块的顶面；

形成一第一介质层在所述第三基底的所述第一牺牲层及所述金属凸块上，并且在所述第一介质层中形成有多个开口，所述开口暴露出所述金属凸块；

填充一导电层在所述开口内，所述导电层与所述金属凸块连接；

去除所述第三基底与所述第一牺牲层，并利用所述金属凸块、所述第一介质层和所述导电层构成所述中介导接层体，所述金属凸块的底面和部分侧面外露于所述中介导接层体的一表面；

形成多个第一凹槽在所述顶层介质层中，所述第一凹槽暴露出所述最顶部的所述金属层；以及，

连接所述中介导接层体至所述顶层介质层，所述中介导接层体的所述金属凸块插入所述顶层介质层的所述第一凹槽中，以使所述中介导接层体与所述最顶层的金属互连层相连接。

5.如权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述第一牺牲层之后，且在形成所述第一介质层之前，还包括：

形成一第二介质层在所述第一牺牲层上，所述第二介质层围绕所述金属凸块的外围，所述金属凸块位于包含所述第一牺牲层和所述第二介质层的叠层结构中。

6.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述中介导接层体在所述多层金属互连层中最顶层的金属互连层上的步骤包括：

提供一第三基底，所述第三基底上形成有一第二介质层；

形成多个规则排列的第二凹槽在所述第二介质层内，并且在所述第二凹槽内填充有金属材料，以形成多个金属凸块；

形成一第一介质层在所述第三基底的所述第二介质层及所述金属凸块上，并且在所述第一介质层中形成有多个开口，所述开口暴露出所述金属凸块；

填充一导电层在所述开口内，所述导电层与所述金属凸块连接；

去除所述第三基底，并利用所述金属凸块、所述第一介质层、所述第二介质层和所述导电层构成所述中介导接层体；

形成多个第一凹槽在所述顶层介质层中，所述第一凹槽暴露出所述最顶层的所述金属互连层；以及，

连接所述中介导接层体至所述顶层介质层，所述中介导接层体的所述金属凸块插入所述顶层介质层的所述第一凹槽中，以使所述中介导接层体与所述最顶层的金属互连层相连接。

7.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述多层金属互连层之前，所述存储器的制造方法还包括依次形成一第二牺牲层与一保护层在所述第一基底上；

以及，在形成所述多层金属互连层时，所述多层金属互连层形成于所述保护层上。