[发明专利]绝缘结构

说明书

本发明提供一种能够抑制因污染粒子的堆积而引起的绝缘性能下降的绝缘结构。在将设置于离子注入装置的真空区域内部的电极与其他部件绝缘并支承该电极的绝缘结构中，第1绝缘部件(32)支承电极。第2绝缘部件(34)为了减少污染粒子(18)向第1绝缘部件(32)的附着而嵌合于第1绝缘部件(32)。第2绝缘部件(34)由硬度比第1绝缘部件(32)低的材料形成。第2绝缘部件(34)的外表面的维氏硬度为5GPa以下。第2绝缘部件(34)的弯曲强度为100MPa以下。第2绝缘部件(34)由包含氮化硼、多孔陶瓷及树脂中的至少一种的材料形成。

技术领域

本申请主张基于2017年3月8日于日本申请的日本专利申请第2017-043978号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种适合于设置在离子注入装置内的电极的绝缘结构。

背景技术

在离子注入装置中，以用于引出离子源中的离子束的引出电极系统为代表而设置有若干电极，这些电极通过绝缘体而支承于其他电极或周围的结构物。例如，在专利文献1中记载有如下离子源：具备针状电极与引出电极，并向这些电极之间施加高电压而产生离子。

专利文献1：日本特开平2-72544号公报

关于设置于离子注入装置的电极的绝缘结构，本发明人得出了以下认识。

优选电极的绝缘结构具备如下绝缘体：以所希望的强度支承电极，并且能够确保电极与其他部件之间的绝缘性能。离子注入装置中，可以考虑到如下情况：根据离子束的原料、离子源的结构，具有导电性的污染粒子与离子束一同被引出，并堆积在引出电极系统的绝缘体的表面。污染粒子堆积时，在绝缘体的表面上形成导电电路，存在绝缘性能下降而妨碍离子注入装置的正常的运行的可能性。大量生成污染粒子时，要求以高频度来进行该绝缘结构的维护，可成为离子注入装置的运转率下降的一个原因。这种问题并不限于引出电极系统的绝缘结构，关于设置于离子注入装置内的其他种类的电极的绝缘结构也能够产生。

基于这些，本发明人认识到：关于设置于离子注入装置的电极的绝缘结构，从维持电极的支承强度，并且抑制因污染粒子的堆积而引起的绝缘性能下降的观点来看，有待改进。

发明内容

本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于，提供一种能够维持电极的支承强度，并且抑制因污染粒子的堆积而引起的绝缘性能下降的绝缘结构。

为了解决上述课题，本发明的一方式的绝缘结构，将设置于离子注入装置的真空区域内部的电极与其他部件绝缘并支承该电极，所述绝缘结构具备：第1绝缘部件，支承电极；及第2绝缘部件，为了减少污染粒子向第1绝缘部件的附着而嵌合于第1绝缘部件。第2绝缘部件由硬度比第1绝缘部件低的材料形成。

根据该方式，在绝缘结构中，通过嵌合第2绝缘部件，而能够减少污染粒子向第1绝缘部件的附着。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种能够维持电极的支承强度，并且抑制因污染粒子的堆积而引起的绝缘性能下降的绝缘结构。

附图说明

图1是概略地表示具备本发明的实施方式所涉及的绝缘结构的离子注入装置的图。

图2是概略地表示本发明的实施方式所涉及的离子源装置的图。

图3是概略地表示本发明的实施方式所涉及的引出电极部的剖视图。

图4是概略地表示本发明的实施方式所涉及的绝缘结构的剖视图。

图5是概略地表示比较例所涉及的绝缘结构的剖视图。

图6是例示本发明的实施方式中的抑制电流的曲线图。

图7是概略地表示第1变形例所涉及的绝缘结构的剖视图。