[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201810186722.9 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN108511489B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 唐甲;张晓星;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法,该方法包括下述步骤:制备TFT背板;在TFT背板上制备包含多个岛状结构的像素定义层;其中,岛状结构包含第一导电体以及位于第一导电体外围的第一绝缘体;在第一导电体上制备多个具有尖端或者棱角结构的第二导电体;在像素定义层上制备电子层;电子层包含电子传输层以及电子注入层;在电子注入层上制备阴极层;给像素定义层施加外场,第二导电体将所述电子层击穿,使得第二导电体与阴极层电性连接,外场包括电流或电场。本发明可以减少TFT背板的布线空间,同时还可以解决大尺寸OLED显示面板在点亮时的IR压降问题,有利于电路设计以及TFT背板高像素密度的设计。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
大尺寸OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板(即整面蒸镀有机材料的OLED显示面板,一般为5代线及以上所生产的OLED显示面板)工作时,面板的显示中心与中心以外、四周边缘会有IR drop的问题(即显示面板的电源电压通过导线传输至显示面板有效显示区的像素电路时,因为导线上会有电阻,因而电源电压在传输过程中会产生直流压降,也即是IR压降,IR压降会导致显示面板最终的亮度不均),因此需额外在背板上制作辅助电极,给压降较大的区域额外施加辅助,使整个显示面板工作时画面显示均一稳定,小尺寸OLED显示面板的IR drop的现象不明显,因此不需要用到辅助电极。目前辅助电极的主要方案是在像素定义层上制作倒梯形隔离柱(pillar)来实现,倒梯形隔离柱的制作成本高并且工艺制程复杂,使得EL/IJP-OLED(蒸镀制备的OLED显示面板和喷墨打印制备的OLED显示面板)的背板的工艺实现更加困难,并且倒梯形隔离柱还需要额外占用空间。另外还需要在像素定义层上再设计一个连接孔(contact hole)用来实现阴极与阳极搭界,这些对于电路设计以及背板高PPI(像素密度)的设计都是不利的。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法,可以减少TFT背板的布线空间,同时还可以解决大尺寸OLED显示面板在点亮时的IR压降问题,有利于电路设计以及TFT背板高像素密度的设计。
本发明提供的一种OLED显示面板的制备方法,包括下述步骤:
制备TFT背板;
在所述TFT背板上制备包含多个岛状结构的像素定义层;其中,所述岛状结构包含第一导电体以及位于所述第一导电体外围的第一绝缘体;
在所述第一导电体上制备多个具有尖端或者棱角结构的第二导电体;
在所述像素定义层上制备电子层;所述电子层包含电子传输层以及电子注入层;
在所述电子注入层上制备阴极层;
给所述像素定义层施加外场,所述第二导电体将所述电子层击穿,使得所述第二导电体与所述阴极层电性连接,所述外场包括电流或电场。
优选地,还包括下述步骤:
在所述TFT背板上相邻的所述岛状结构之间依次制备空穴层、发光层以及所述电子层;所述空穴层包含空穴注入层以及空穴传输层。
优选地,制备所述发光层,具体为:
采用蒸镀或者喷墨打印的方式在所述空穴传输层上制备OLED材料的发光层。
优选地,在所述TFT背板上制备包含多个岛状结构的像素定义层,包括下述步骤:
在所述TFT背板上制备岛状的第二绝缘体;
在所述第二绝缘体上刻蚀出第一过孔;
在所述第一过孔中形成导电材料层,并图形化所述导电材料层得到所述第一导电体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的