[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 201810186722.9 | 申请日: | 2018-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN108511489B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
| 发明(设计)人: | 唐甲;张晓星;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:
制备TFT背板,所述制备TFT背板包括在玻璃基板上制备多个相互独立的遮光层;在所述玻璃基板上制备缓冲层,且所述缓冲层覆盖所述遮光层;在所述缓冲层上且位于所述遮光层上方的区域制备半导体沟道层、栅极绝缘层以及栅极;在所述缓冲层上制备层间间隔层,且所述层间间隔层覆盖所述栅极、所述栅极绝缘层以及所述半导体沟道层;在所述层间间隔层上刻蚀出至少一对第二过孔,所述至少一对第二过孔位于所述栅极两侧且位于所述半导体沟道层上方;在所述层间间隔层上制备源极和漏极,且所述源极和所述漏极通过所述至少一对第二过孔与所述半导体沟道层连接;
在所述TFT背板上制备包含多个岛状结构的像素定义层;其中,所述岛状结构包含第一导电体以及位于所述第一导电体外围的第一绝缘体;
在所述第一导电体上制备多个具有尖端或者棱角结构的第二导电体;
在所述像素定义层上制备电子层;所述电子层包含电子传输层以及电子注入层;
在所述电子注入层上制备阴极层;
给所述像素定义层施加外场,所述第二导电体将所述电子层击穿,使得所述第二导电体与所述阴极层电性连接,所述外场包括电流或电场。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,还包括下述步骤:
在所述TFT背板上相邻的所述岛状结构之间依次制备空穴层、发光层以及所述电子层;所述空穴层包含空穴注入层以及空穴传输层。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,制备所述发光层,具体为:
采用蒸镀或者喷墨打印的方式在所述空穴传输层上制备OLED材料的发光层。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,在所述TFT背板上制备包含多个岛状结构的像素定义层,包括下述步骤:
在所述TFT背板上制备岛状的第二绝缘体;
在所述第二绝缘体上刻蚀出第一过孔;
在所述第一过孔中形成导电材料层,并图形化所述导电材料层得到所述第一导电体。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述半导体沟道层贴附在所述缓冲层上或者所述栅极贴附在所述缓冲层上,且所述栅极绝缘层位于所述栅极与所述半导体沟道层之间;
所述半导体沟道层的材料为低温多晶硅或者半导体氧化物。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,制备TFT背板还包括下述步骤:
在所述层间间隔层上制备钝化层,在所述钝化层上制备平坦层;
在所述平坦层以及所述钝化层上刻蚀出至少一个第三过孔,且所述至少一个第三过孔位于所述源极或所述漏极的上方;
在所述平坦层上制备至少一个阳极,且所述至少一个阳极通过所述第三过孔与所述源极或所述漏极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





