[发明专利]制造电容器的方法

说明书

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种制造电容器的方法，可包括：制备包括有至少两层金属层的复合层衬底；在所述复合层衬底中分别形成具有不同深度的互连通孔；于所述互连通孔中填充金属材料形成互连线，以与所述至少两层金属层构成所述电容器。上述制造电容器的方法，通过两次刻蚀工艺在复合层衬底中分别形成具有不同深度的互连通孔，以有效避免较浅的互联通孔过刻蚀而使得所制备的电容器出现诸如漏电等缺陷，从而有效降低其所形成的显示屏出现诸如亮点、亮线等问题的概率。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种制造电容器的方法。

背景技术

电容器可用于存储电荷，其被广泛的应用于诸如AMOLED(Active-matrix organiclight emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)等显示器件的像素驱动电路中。

目前，在制备电容器的过程中，由于所形成的ILD(Interlayer Dielectric，层间介质)孔的深度不同，在互连通孔的刻蚀步骤中，同时进行深孔和浅孔的刻蚀工艺时会导致浅孔的过刻蚀，从而使得所制备的电容器出现诸如漏电等缺陷，从而使得其所形成的显示屏出现诸如亮点、亮线等问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题提供了一种制造电容器的方法，以避免较浅的互连通孔出现过刻蚀而引起电容器漏电。

一种制造电容器的方法，可包括：

制备包括有至少两层金属层的复合层衬底；

在所述复合层衬底中分别形成具有不同深度的互连通孔；

于所述互连通孔中填充金属材料形成互连线，以与所述至少两层金属层构成所述电容器。

上述制造电容器的方法中，通过两次刻蚀工艺在复合层衬底中分别形成具有不同深度的互连通孔，以有效避免较浅的互联通孔过刻蚀而使得所制备的电容器出现诸如漏电等缺陷，从而有效降低其所形成的显示屏出现诸如亮点、亮线等问题的概率。

在一个可选的实施例中，所述制备包括有至少两层金属层的复合层衬底的步骤，包括：

于硅基底上依次制备叠置的第一金属层、绝缘层、第二金属和层间介质层；

其中，所述绝缘层覆盖所述第一金属层的表面，所述第二金属层部分覆盖所述绝缘层的上表面，所述层间介质层覆盖所述第二金属层的表面及所述绝缘层暴露的表面。

在一个可选的实施例中，所述在所述复合层衬底中形成具有不同深度的互连通孔的步骤，包括：

依次刻蚀所述层间介质层、所述绝缘层至所述第一金属层的上表面形成第一互连通孔；

刻蚀所述层间介质层至所述第二金属层的上表面形成第二互连通孔；

其中，所述第一互连通孔的深度大于所述第二互连通孔的深度。

在一个可选的实施例中，所述在所述复合层衬底中形成具有不同深度的互连通孔的步骤，还包括：

依次刻蚀所述层间介质层、所述绝缘层、所述第一金属层至所述硅基底的上表面形成第三互连通孔；

其中，所述第三互连通孔的深度大于所述第一互连通孔的深度。

在一个可选的实施例中，所述在所述复合层衬底中形成具有不同深度的互连通孔的步骤，包括：

刻蚀所述层间介质层形成互连浅通孔；所述互连浅通孔包括位于所述绝缘层被所述第二金属层所暴露区域的上方的第一互连浅通孔，以及从所述层间介质层的上表面贯通至所述第二金属层上表面的第二互连浅通孔；

对所述第一互连浅通孔的底部进行刻蚀，以贯穿所述绝缘层至所述第一金属层的上表面形成第一互连通孔；