[发明专利]制造电容器的方法

权利要求书

1.一种制造电容器的方法，其特征在于，包括：

制备包括有至少两层金属层的复合层衬底；

在所述复合层衬底中分别形成具有不同深度的互连通孔；

于所述互连通孔中填充金属材料形成互连线，以与所述至少两层金属层构成所述电容器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备包括有至少两层金属层的复合层衬底的步骤，包括：

于硅基底上依次制备叠置的第一金属层、绝缘层、第二金属和层间介质层；

其中，所述绝缘层覆盖所述第一金属层的表面，所述第二金属层部分覆盖所述绝缘层的上表面，所述层间介质层覆盖所述第二金属层的表面及所述绝缘层暴露的表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述复合层衬底中形成具有不同深度的互连通孔的步骤，包括：

依次刻蚀所述层间介质层、所述绝缘层至所述第一金属层的上表面形成第一互连通孔；

刻蚀所述层间介质层至所述第二金属层的上表面形成第二互连通孔；

其中，所述第一互连通孔的深度大于所述第二互连通孔的深度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述复合层衬底中形成具有不同深度的互连通孔的步骤，还包括：

依次刻蚀所述层间介质层、所述绝缘层、所述第一金属层至所述硅基底的上表面形成第三互连通孔；

其中，所述第三互连通孔的深度大于所述第一互连通孔的深度。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述复合层衬底中形成具有不同深度的互连通孔的步骤，包括：

刻蚀所述层间介质层形成互连浅通孔；所述互连浅通孔包括位于所述绝缘层被所述第二金属层所暴露区域的上方的第一互连浅通孔，以及从所述层间介质层的上表面贯通至所述第二金属层上表面的第二互连浅通孔；

对所述第一互连浅通孔的底部进行刻蚀，以贯穿所述绝缘层至所述第一金属层的上表面形成第一互连通孔；

其中，将所述第二互连浅通孔作为第二互连通孔，且所述第一互连通孔的深度大于所述第二互连通孔的深度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述互连浅通孔还包括位于所述硅基底被所述第一金属层所暴露区域的上方的第三互连浅通孔；所述在所述复合层衬底中形成具有不同深度的互连通孔的步骤，还包括：

对所述第三互连浅通孔的底部进行刻蚀并贯穿所述层间介质层至所述硅基底形成第三互连通孔；

其中，所述第三互连通孔的深度大于所述第一互连通孔的深度。

7.一种制造电容器的方法，其特征在于，包括：

制备包括有至少两层金属层的复合层衬底；

于所述复合层衬底的上表面制备保护层，且所述保护层中设置有具有不同深度的掩膜孔；

以所述保护层为掩膜对所述复合层衬底进行刻蚀工艺，以在所述复合层衬底中对应所述掩膜孔的位置形成具有不同深度的互连通孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述制备包括有至少两层金属层的复合层衬底的步骤，包括：

于硅基底上依次制备叠置的第一金属层、绝缘层、第二金属和层间介质层；

其中，所述绝缘层覆盖所述第一金属层的表面，所述第二金属层部分覆盖所述绝缘层的上表面，所述层间介质层覆盖所述第二金属层的表面及所述绝缘层暴露的表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述于所述复合层衬底的上表面制备保护层，且所述保护层中设置有具有不同深度的掩膜孔的步骤，包括：

于所述复合层衬底的上表面涂覆光刻胶，经曝光、显影后去除多余的光刻胶形成设置有具有不同深度的掩膜孔的所述保护层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述掩膜孔包括第一掩膜孔、第二掩膜孔和第三掩膜孔；所述以所述保护层为掩膜对所述复合层衬底进行刻蚀工艺，以在所述复合层衬底中对应所述掩膜孔的位置形成具有不同深度的互连通孔的步骤，包括：

以所述保护层为掩膜对所述复合层衬底进行刻蚀工艺，对应所述第一掩膜孔的位置依次刻蚀所述层间介质层、所述绝缘层至所述第一金属层的上表面形成第一互连通孔，

对应所述第二掩膜孔的位置刻蚀所述层间介质层至所述第二金属层的上表面形成第二互连通孔，以及

对应所述第三掩膜孔的位置依次刻蚀所述层间介质层、所述绝缘层、所述第一金属层至所述硅基底的上表面形成第三互连通孔；

其中，所述第一掩膜孔的深度大于所述第二掩膜孔的深度，所述第三掩膜孔的深度大于所述第一掩膜孔的深度，所述第一互连通孔的深度大于所述第二互连通孔的深度，所述第三互连通孔的深度大于所述第一互连通孔的深度。