[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201810183440.3 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN108573900B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 福岛讲平;冈部庸之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,具备:
内管,其设置为能够容纳多张基板,并且具有第一开口部;
外管,其包围所述内管;
可动壁,其以能够移动的方式被设置于所述内管内、或者所述内管与所述外管之间,并且具有第二开口部;
气体供给单元,其向所述内管内供给处理气体;
排气单元,其被设置于比所述可动壁靠外侧的位置,经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气;以及
压力检测单元,其检测所述内管内的压力。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述压力检测单元包括:
一个或多个传感器管,所述一个或多个传感器管的一端与所述内管内连通;以及
一个或多个真空计,所述一个或多个真空计检测所述一个或多个传感器管内的压力。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述一个或多个传感器管的内部能够流通气体。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排气单元包括用于调整所述内管内的压力的压力调整单元。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
具备控制单元,该控制单元基于由所述压力检测单元检测出的所述内管内的压力来控制所述压力调整单元或所述可动壁。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
在由所述压力检测单元检测的所述内管内的压力从大致固定值转为减少或增加时的所述可动壁的位置与预先决定的第一位置不同的情况下,所述控制单元将所述内管内的压力从大致固定值转为减少或增加时的所述可动壁的位置向趋近所述第一位置的方向进行校正。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一位置为在与该基板处理装置不同的基板处理装置中内管内的压力从大致固定值转为减少或增加时的可动壁的位置。
8.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述可动壁处于第二位置的情况下的所述内管内的压力与预先决定的第二压力不同的情况下,所述控制单元将所述可动壁处于第二位置的情况下的所述内管内的压力向趋近所述第二压力的方向进行校正。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二压力为在与该基板处理装置不同的基板处理装置中可动壁处于所述第二位置的情况下的内管内的压力。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二位置是使所述第一开口部与所述第二开口部重叠的区域为最大的位置或为最小的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造