[发明专利]触控显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201810182762.6 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN108389883B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 刘冬妮;玄明花;陈小川;王磊;杨盛际;肖丽;陈亮;岳晗 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/10;G06F3/044 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供一种触控显示基板及其制作方法、显示装置,该制作方法包括:形成触控电极走线,所述触控电极走线位于所述触控显示基板的显示区域内;形成阳极和有机层;形成多个相互绝缘的阴极,所述阴极复用为触控电极,所述阴极通过贯穿所述阴极和所述触控电极走线之间的膜层上的过孔,与所述触控电极走线连接,所述过孔位于所述触控显示基板的显示区域内。本发明中,将触控电极走线与复用为触控电极的阴极异层设置,并且通过设置在显示区域内的过孔相连,由于阴极所在层不需要部署触控电极走线,能够提高阴极占用的面积,从而能够避免触控盲区,提高触控性能。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种触控显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示装置是当今平板显示装置研究领域的热点之一,与液晶显示装置相比,OLED显示装置具有低能耗、制作成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、掌上电脑(Personal DigitalAssistant,简称PDA)、数码相机等显示领域,OLED显示装置已经开始取代传统的液晶显示装置。
同时作为技术难点比较大的内嵌式触控(In Cell Touch)技术,本着其可以与显示面板工艺兼容的特点,越来越受到面板厂家的青睐,很多公司也将In Cell Touch技术开发列为公司技术研究的主要方向。
内嵌自容式OLED触控显示装置中,为减薄OLED触控显示装置的厚度,现有技术提出一种将OLED触控显示装置的阴极进行图形化并复用为触控电极的方案,请参考图1,整层的阴极层被分割成多个相互绝缘的阴极(即触控电极)101,阴极101通过与阴极101同层同材料设置的触控电极走线203引至显示区域周边,然后通过显示区域周边的过孔以及位于显示区域周边的连接线与触控芯片(IC)连接。随着触控显示装置尺寸的增大,触控电极数量的增加,在显示区域的边缘区域,触控电极走线所占面积会很大,从而形成触控盲区,降低触控体验。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种触控显示基板及其制作方法、显示装置,用于解决现有的内嵌自容式OLED触控显示装置存在触控盲区,触控体验差的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种触控显示基板的制作方法,包括:
形成触控电极走线,所述触控电极走线位于所述触控显示基板的显示区域内;
形成阳极和有机层;
形成多个相互绝缘的阴极,所述阴极复用为触控电极,所述阴极通过贯穿所述阴极和所述触控电极走线之间的膜层上的过孔,与所述触控电极走线连接,所述过孔位于所述触控显示基板的显示区域内。
优选地,所述形成触控电极走线的步骤包括:
形成触控电极走线和具有放电尖端的第一放电图形,所述触控电极走线和所述第一放电图形位于所述触控显示基板的显示区域内,每一所述触控电极走线与至少一个所述第一放电图形连接;
所述形成多个相互绝缘的阴极的步骤之前,还包括:
提供一放电基板,所述放电基板上包括具有放电尖端的第二放电图形,所述第二放电图形与所述第一放电图形一一对应设置;
对所述第二放电图形通电,使所述第二放电图形和所述第一放电图形之间放电,所述第一放电图形和所述第二放电图形之间的膜层被击穿形成所述过孔。
优选地,所述形成多个相互绝缘的阴极的步骤包括:
形成多个截面呈倒梯形结构的挡墙;
蒸镀形成整面的阴极层,所述阴极层在所述挡墙的边缘断裂,形成多个相互绝缘的阴极。
优选地,所述形成截面呈倒梯形结构的挡墙的步骤包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的