[发明专利]研磨方法、研磨装置以及基板处理系统

说明书

本发明提供研磨方法、研磨装置、基板处理系统以及记录介质，该研磨方法能够以低运转成本对晶片等基板进行研磨。研磨方法包含如下的工序：一边利用真空吸附台(11)对基板(W)的背侧面进行保持一边使基板(W)旋转，使保持有多个研磨器具(61)的研磨头(50)旋转，将旋转的多个研磨器具(61)向基板(W)的表侧面按压。基板(W)的表侧面是形成布线图案的面。

技术领域

本发明涉及对晶片等基板进行研磨的方法和装置，尤其涉及对形成布线图案的基板的表侧面进行研磨的方法和装置。

背景技术

在NIL(纳米压印光刻技术)中，从样板将电路图案直接转印于晶片。若在晶片表面上存在微粒等微小突起物，则有时在电路图案的转印时样板破损。因此，为了延长昂贵的样板的寿命，要求从转印前的晶片中去除微小突起物。在晶片表面上存在的微小突起物不仅仅包含附着于晶片表面的微粒，而且包含埋入于膜中的异物。特别是这样的异物在海绵擦洗这样的清洁机构中不容易去除。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2014-150178号公报

专利文献2：日本特开2015-012200号公报

专利文献3：日本特开2016-058724号公报

专利文献4：日本特开2002-343754号公报

因此，为了从晶片表面去除微小突起物，考虑使用化学机械研磨(CMP)装置。CMP装置构成为通过一边对研磨台上的研磨垫供给浆料一边使晶片与研磨垫滑动接触而对晶片的表面进行研磨。

然而，CMP装置是具有研磨台的较大的装置，需要较大的设置空间，该研磨台具有晶片的1倍以上的直径。除此之外，CMP装置需要浆料和研磨垫等消耗品，消耗品的成本较高。此外，为了防止晶片表面的污染，需要充分地清洗研磨后的晶片表面而从晶片去除浆料。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供能够以低运转成本对晶片等基板进行研磨的研磨方法和研磨装置。并且，本发明的目的在于，提供具有这样的研磨装置的基板处理系统。

为了达成上述的目的，本发明的一个方式提供研磨方法，该研磨方法包含如下的工序：一边利用真空吸附台对基板的背侧面进行保持，一边使所述基板旋转；使保持有多个研磨器具的研磨头旋转；以及将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压，所述基板的表侧面是形成布线图案的面。

本发明的优选的方式的特征在于，将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压的工序是如下的工序：一边使所述研磨头与所述基板的表侧面平行地摆动，一边将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压。

本发明的优选的方式的特征在于，使所述研磨头与所述基板的表侧面平行地摆动的动作是如下的动作：使所述研磨头在所述基板的表侧面的中心部与外周部之间与所述基板的表侧面平行地摆动。

本发明的优选的方式的特征在于，将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压的工序是如下的工序：一边向所述基板的表侧面供给不包含磨粒的液体，一边将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压。

本发明的优选的方式的特征在于，所述液体与所述基板的表侧面大致平行地喷射。

本发明的优选的方式的特征在于，将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压的工序是如下的工序：一边使所述研磨器具在该研磨器具的长度方向上传送，一边将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压。

本发明的优选的方式的特征在于，将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压的工序是如下的工序：不使所述研磨器具在该研磨器具的长度方向上传送，而将旋转的所述多个研磨器具向所述基板的表侧面按压。