[发明专利]一种抗紫外纳米银线导电膜及其制造方法

权利要求书

1.一种抗紫外纳米银线导电膜，其特征在于：所述抗紫外纳米银线导电膜是在透明薄膜层的一面设置有抗紫外丙烯酸树脂层A，另一面依次设置有纳米银线导电膜层和抗紫外丙烯酸树脂层B；

所述抗紫外丙烯酸树脂层A和所述抗紫外丙烯酸树脂层B是由相同组分的抗紫外丙烯酸树脂涂料涂布而成；

所述抗紫外丙烯酸树脂涂料的各组分按重量份的构成为：

所述纳米银线导电膜层是由纳米银线导电墨水涂布而成，所述纳米银线导电墨水的各组分按重量份的构成为：

2.根据权利要求1所述的抗紫外纳米银线导电膜，其特征在于：

所述的聚氨酯丙烯酸预聚物为含4官能度以上的脂肪族聚氨酯丙烯酸树脂或芳香族聚氨酯丙烯酸树脂；

所述活性单体的官能度大于4，选自DPHA、SR355 NS或SR295 NS；

所述光引发剂为2-羟基-甲基苯基丙烷-1-酮、1-羟基环已基苯基甲酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、安息香双甲醚、2,4,6(三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦、二甲苯酮和2-异丙基硫杂蒽酮中的至少一种；

所述流平剂为有机硅氧烷或有机硅改性的丙烯酸流平剂；

所述紫外吸收剂为氯代苯并三唑类紫外线吸收剂；

所述溶剂为脂类、醇类或酮类有机溶剂。

3.根据权利要求1所述的抗紫外纳米银线导电膜，其特征在于：

所述纳米银线的线径为10-100nm、线长5-100μm；

所述分散剂为聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮；

所述银稳定剂为碳链为12-24的线性饱和烷烃硫醇、N-β-羟基乙基乙二胺三乙酸或2-苯并噻唑基-3-(4-羧基-2-甲氧苯基)-5-[4-(2-磺乙基氨基甲酰)苯基]-2H-四氮唑；

所述消泡剂为聚硅氧烷类化合物；

所述防腐剂为苯酚。

4.根据权利要求1所述的抗紫外纳米银线导电膜，其特征在于：所述透明薄膜层为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜或聚酰亚胺薄膜。

5.根据权利要求1所述的抗紫外纳米银线导电膜，其特征在于：所述透明薄膜层厚度在20-200μm，所述抗紫外丙烯酸树脂层A和所述抗紫外丙烯酸树脂层B的厚度在0.1-10μm，所述纳米银线导电膜层的厚度在0.1-3μm。

6.一种权利要求1～5中任意一项所述抗紫外纳米银线导电膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)按配比将抗紫外丙烯酸树脂涂料的各组分混合并搅拌均匀，获得抗紫外丙烯酸树脂涂料；按配比将纳米银线导电墨水的各组分混合并搅拌均匀，获得纳米银线导电墨水；

(2)在透明薄膜层的一面通过卷对卷涂布的方式涂布抗紫外丙烯酸树脂涂料，然后经高温烘干、UV固化，形成抗紫外丙烯酸树脂层A；

(3)在透明薄膜层的另一面通过卷对卷涂布的方式涂布纳米银线导电墨水，然后高温烘干，形成纳米银线导电膜层；

(4)在所述纳米银线导电膜层的表面通过卷对卷涂布的方式涂布抗紫外丙烯酸树脂涂料，然后经高温烘干、UV固化，形成抗紫外丙烯酸树脂层B，即完成抗紫外纳米银线导电膜的制造。

7.根据权利要求6所述的抗紫外纳米银线导电膜的制造方法，其特征在于：所述卷对卷涂布的方式为狭缝式挤压型涂布(Slot-Die-Coating)、微凹版涂布或逗号辊涂布；涂布速度为10-20m/min。

8.根据权利要求6所述的抗紫外纳米银线导电膜的制造方法，其特征在于：步骤(2)和步骤(4)中高温烘干的温度在60-80℃，UV固化是在200mJ/cm²光照强度UV照射15-30s；步骤(3)中高温烘干的温度在100-150℃。