[发明专利]基板处理装置

说明书

提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。

技术领域

公开的实施方式涉及一种基板处理装置。

背景技术

以往以来，已知如下一种方法：在利用液体对作为基板的半导体晶圆(以下称作晶圆。)等的上表面进行处理之后的干燥工序中，通过使由于液体而上表面湿润的状态的晶圆与超临界状态的处理流体接触来使晶圆干燥(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在以往的利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，在处理容器内由处理流体形成的流路是以与晶圆重叠的方式形成的，因此盛放在晶圆上的液体有时被处理流体从晶圆上冲走。由此，导致晶圆上的液体保持不溶解于处理流体的状态在晶圆上干燥，因此图案有可能由于在液体干燥时从气液界面施加的表面张力而发生破坏、所谓的图案破坏。

实施方式的一个方式是鉴于上述情形而完成的，其目的在于提供一种在利用超临界状态的处理流体的基板处理装置中能够抑制形成于晶圆上表面的图案破坏的基板处理装置。

用于解决问题的方案

实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置进行干燥处理，该干燥处理是使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使所述基板干燥的处理，所述基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳所述基板的处理空间；保持部，其在所述主体的内部保持所述基板；供给部，其配置于被所述保持部保持的所述基板的侧方，向所述处理空间内供给所述处理流体；排出部，其从所述处理空间内排出所述处理流体；以及流路限制部，其限制在使所述处理流体从所述供给部流通到所述排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，所述流路限制部的上端部配置于比被所述保持部保持的所述基板的上表面高的位置。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，在利用超临界状态的处理流体的基板处理装置中，能够抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。

附图说明

图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的示意图。

图2是示出第一实施方式所涉及的清洗处理单元的结构的截面图。

图3是示出第一实施方式所涉及的干燥处理单元的结构的外观立体图。

图4是示出第一实施方式所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。

图5是示出第一实施方式的变形例1所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。

图6是示出第一实施方式的变形例2所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。

图7是示出第一实施方式的变形例3所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。

图8是示出第二实施方式所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。

图9是示出第二实施方式的变形例所涉及的干燥处理单元的内部结构的一例的截面图。