[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201810170355.3 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108538751B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 川渕洋介;五师源太郎;江头佳祐;大野广基;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;北山将太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置，进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而形成有图案的上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使所述基板干燥的处理，所述基板处理装置具备：
主体，其在内部形成有能够收纳所述基板的处理空间；
保持部，其在所述主体的内部保持所述基板；
供给部，其设置于被所述保持部保持的所述基板的侧方，向所述处理空间内供给所述处理流体；
排出部，其从所述处理空间内排出所述处理流体；以及
流路限制部，其限制在使所述处理流体从所述供给部流通到所述排出部时形成的流路的上游侧处的下端部，
其中，所述流路限制部的上端部配置于比被所述保持部保持的所述基板的上表面高的位置，
所述流路限制部的上端部配置于比盛放在所述基板上的所述液体的上端低的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路限制部为配置在被所述保持部保持的所述基板与所述供给部之间的整流板，所述整流板具有配置于比所述基板的所述上表面高的位置的上端部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流板设置于所述保持部。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述流路的下游侧设置有其它整流板。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路限制部为所述供给部的供给口的下侧的部位。
6.一种基板处理装置，进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而形成有图案的上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使所述基板干燥的处理，所述基板处理装置具备：
主体，其在内部形成有能够收纳所述基板的处理空间；
保持部，其在所述主体的内部保持所述基板；
供给部，其设置于被所述保持部保持的所述基板的侧方，向所述处理空间内供给所述处理流体；以及
排出部，其从所述处理空间内排出所述处理流体，
其中，在使所述处理流体从所述供给部流通到所述排出部时，从所述供给部喷出的所述处理流体的方向朝向被所述保持部保持的所述基板的上方，
所述供给部向比所述保持部保持的所述基板的所述上表面高且比盛放在所述基板上的所述液体的上端低的位置处供给所述处理流体。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述供给部喷出的所述处理流体的方向朝向斜上方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
