[发明专利]一种基于NorFlash芯片的数据擦写方法及系统

说明书

本申请公开了一种基于NorFlash芯片的数据擦写方法，所述数据擦写方法包括：当检测到需要向目标物理子扇区写入的待写入数据时，查询目标物理子扇区的第一擦写情况，并计算所有物理子扇区的第二擦写情况；基于数理统计根据第一擦写情况和第二擦写情况判断目标物理子扇区是否符合预设条件；若是，则将待写入数据写入目标物理子扇区；若否，则将所有物理子扇区中实际擦写次数最少的物理子扇区设置为最佳物理子扇区，并将待写入数据写入最佳物理子扇区。本方法能够实现NorFlash芯片中各个扇区的均衡擦写，延长NorFlash芯片的使用寿命。本申请还公开了一种基于NorFlash芯片的数据擦写系统，具有以上有益效果。

技术领域

本发明涉及数据存储领域，特别涉及一种基于NorFlash芯片的数据擦写方法及系统。

背景技术

因NorFlash芯片允许片内直接运行应用程序，较高的传输效率和成本效益及掉电数据不丢失的特性，因此很多嵌入式产品将NorFlash芯片作为应用程序和重要数据的存储设备。

根据flash的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1，所以在flash编程之前都需要首先擦除对应存储单元的数据，目前flash芯片提供的擦除方式包括扇区擦除(Sector Erase)和片擦除(Chip Erase)两种，因此若向某个flash存储单元中写入数据之前，必须首先将该存储单元所在的扇区进行擦除，擦除之后再将需要写入的数据逐一写入该扇区。

现有技术中，通过记录扇区擦写时标实现各扇区均衡的方法来进行NorFlash芯片的数据擦写，但是这种方法在针对当系统发生回向校时的情况，极易造成扇区内记录的擦写时标的不准确性，发生回向校时跨度比较大的时候，使得某扇区的擦写过于频繁，违背了扇区均衡擦写的初衷，若发生回向校时更新每个扇区时标，需要擦写每个扇区，消耗时间比较长，此时一旦系统发生异常断电，极易造成flash数据丢失。

因此，如何实现NorFlash芯片中各个扇区的均衡擦写，延长NorFlash芯片的使用寿命是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种基于NorFlash芯片的数据擦写方法及系统能够实现NorFlash芯片中各个扇区的均衡擦写，延长NorFlash芯片的使用寿命。

为解决上述技术问题，本申请提供一种基于NorFlash芯片的数据擦写方法，该数据擦写方法包括：

当检测到需要向目标物理子扇区写入的待写入数据时，查询所述目标物理子扇区的第一擦写情况，并计算所有物理子扇区的第二擦写情况；其中，所述第一擦写情况包括所述目标物理子扇区的逻辑写入次数和实际写入次数，所述第二擦写情况包括所有所述物理子扇区的逻辑写入次数的平均值和实际写入次数的平均值、均方根误差、最大值和最小值；

基于数理统计根据所述第一擦写情况和所述第二擦写情况判断所述目标物理子扇区是否符合预设条件；

若是，则将所述待写入数据写入所述目标物理子扇区；

若否，则将所有所述物理子扇区中实际擦写次数最少的物理子扇区设置为最佳物理子扇区，并将所述待写入数据写入所述最佳物理子扇区。

可选的，基于数理统计根据所述第一擦写情况和所述第二擦写情况判断所述目标物理子扇区是否符合预设条件包括：

判断SquareError是否大于误差限制且所述SquareError与EraseMAX和/或EraseMIN之间的差值大于最大允许不均匀度，得到第一判断结果；其中，所述SquareError、所述EraseMAX和所述EraseMIN分别为所有所述物理子扇区的实际写入次数的均方根误差、最大值和最小值；

判断EraseTimes是否等于所述EraseMAX，得到第二判断结果；其中，所述EraseTimes为所述目标物理子扇区的实际写入次数；