[发明专利]一种基于NorFlash芯片的数据擦写方法及系统有效
| 申请号: | 201810166301.X | 申请日: | 2018-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN108280029B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
| 发明(设计)人: | 候志立 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
| 地址: | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 norflash 芯片 数据 擦写 方法 系统 | ||
1.一种基于NorFlash芯片的数据擦写方法,其特征在于,包括:
当检测到需要向目标物理子扇区写入的待写入数据时,查询所述目标物理子扇区的第一擦写情况,并计算所有物理子扇区的第二擦写情况;其中,所述第一擦写情况包括所述目标物理子扇区的逻辑写入次数和实际写入次数,所述第二擦写情况包括所有所述物理子扇区的逻辑写入次数的平均值和实际写入次数的平均值、均方根误差、最大值和最小值;
基于数理统计根据所述第一擦写情况和所述第二擦写情况判断所述目标物理子扇区是否符合预设条件;
若是,则将所述待写入数据写入所述目标物理子扇区;
若否,则将所有所述物理子扇区中实际写入次数最少的物理子扇区设置为最佳物理子扇区,并将所述待写入数据写入所述最佳物理子扇区。
2.根据权利要求1所述数据擦写方法,其特征在于,基于数理统计根据所述第一擦写情况和所述第二擦写情况判断所述目标物理子扇区是否符合预设条件包括:
判断SquareError是否大于误差限制且所述SquareError与EraseMAX和/或EraseMIN之间的差值大于最大允许不均匀度,得到第一判断结果;其中,所述SquareError、所述EraseMAX和所述EraseMIN分别为所有所述物理子扇区的实际写入次数的均方根误差、最大值和最小值;
判断EraseTimes是否等于所述EraseMAX,得到第二判断结果;其中,所述EraseTimes为所述目标物理子扇区的实际写入次数;
判断是否所述EraseTimes大于EraseAVR且LogicTimes大于LogicAVril,得到第三判断结果;其中,所述EraseAVR和LogicAVril分别为所有所述物理子扇区的实际写入次数的平均值和逻辑写入次数的平均值,LogicTimes为所述目标物理子扇区的逻辑写入次数;
根据所述第一判断结果、所述第二判断结果和所述第三判断结果判断所述目标物理子扇区是否符合预设条件;其中,所述预设条件为所述第一判断结果、所述第二判断结果和所述第三判断结果均不为是。
3.根据权利要求1所述数据擦写方法,其特征在于,在查询所述目标物理子扇区的第一擦写情况,并计算所有物理子扇区的第二擦写情况之前,还包括:
按照预设规则对所述NorFlash芯片进行分区操作;其中,分区后的NorFlash芯片包括用于写入数据的DATA扇区和用于管理所述DATA扇区的MANAGE扇区,所述DATA扇区包括逻辑子扇区与所述物理子扇区;所述MANAGE扇区包括用于统计所述DATA扇区的逻辑写入次数的LOGIC_STATIS子扇区、用于统计所述DATA扇区实际写入次数的REAL_ERASE_STATIS子扇区和用于存储所述逻辑子扇区与所述物理子扇区之间的映射关系的SECTOR_MAP子扇区。
4.根据权利要求3所述数据擦写方法,其特征在于,在查询所述目标物理子扇区的第一擦写情况,并计算所有物理子扇区的第二擦写情况之前,还包括:
判断所述NorFlash芯片是否为第一次使用;
若是,则对所述MANAGE扇区执行初始化操作。
5.根据权利要求4所述数据擦写方法,其特征在于,对所述MANAGE扇区执行初始化操作包括:
将所述LOGIC_STATIS子扇区中记录的逻辑写入次数初始化为0;
将所述REAL_ERASE_STATIS子扇区中记录的实际写入次数初始化为0;
更新所述SECTOR_MAP子扇区中记录的映射关系,以使所述DATA扇区的每个子扇区的逻辑编号与物理编号一一对应。
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