[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备在审
申请号: | 201810163989.6 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108598107A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 山冈谅平;濑尾哲史;中村太纪 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益;葛臻翼 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光元件 峰值波长 显示装置 发射光谱 电极 发光层 电子设备提供 半反射电极 反射电极 显示模块 半透射 广色域 波长 视角 | ||
提供一种视角宽的显示装置。提供一种实现广色域的显示的显示装置。一种包括第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的显示装置。各发光元件包括一对电极及发光层。一对电极的一个包括反射电极,另一个包括半透射·半反射电极。各发光元件的发光层互不相同。第一发光元件的发射光谱的第一峰值波长是400nm以上且480nm以下。第二发光元件的发射光谱的第二峰值波长是580nm以上且700nm以下。第三发光元件的发射光谱的第三峰值波长是第一峰值波长和第二峰值波长之间的波长。关于一对电极间的距离,第一发光元件最长,第二发光元件第二长。
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示装置、显示模块及电子设备。
注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的一个例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入输出装置(例如,触摸面板等)、上述装置的驱动方法以及上述装置的制造方法。
背景技术
近年来,显示装置被期待应用于各种用途。例如,在用于大型显示装置时,例如,可以举出家用电视装置(也称为电视或电视接收器)、数字标牌(Digital Signage)或公共信息显示器(PID:Public Information Display)等。显示区域大的显示装置能够一次提供更多信息。另外,在显示区域大的情况下更容易吸引人的注意,从而例如期待广告宣传效果的提高。
作为显示装置,例如已开发了包括发光元件的发光装置。利用电致发光(Electroluminescence,以下称为EL)现象的发光元件(也记载为“EL元件”)具有容易实现薄型轻量化;能够高速地响应输入信号;以及能够使用直流低电压电源等而驱动的特征等,并已将其应用于显示装置。
另外,有机EL元件有望应用于柔性装置。例如,专利文献1公开了使用有机EL元件的具有柔性的发光装置。
[专利文献1]日本专利申请公开第2014-197522号公报
发明内容
鉴于各种用途,除了从正面观察的情况以外还要求显示装置在从倾斜方向观察时也具有高可见性。优选的是,从倾斜方向观察显示装置与从正面方向观察显示装置时的显示差异小。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种视角宽的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够实现广色域的显示的显示装置。
注意,这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的描述中抽取上述目的外的目的。
本发明的一个方式是一种显示装置,包括第一发光元件、第二发光元件及第三发光元件。第一发光元件、第二发光元件及第三发光元件分别包括一对电极以及该一对电极间的发光层。一对电极的一个包括反射电极。一对电极的另一个包括半透射·半反射电极。第一发光元件、第二发光元件及第三发光元件的发光层互不相同。第一发光元件的发射光谱的第一峰值波长是400nm以上且480nm以下。第二发光元件的发射光谱的第二峰值波长是580nm以上且700nm以下。第三发光元件的发射光谱的第三峰值波长是第一峰值波长和第二峰值波长之间的波长。第一发光元件的厚度优选厚于第二发光元件的厚度,第二发光元件的厚度优选厚于第三发光元件的厚度。另外,第一发光元件的一对电极间的距离优选长于第二发光元件的一对电极间的距离,第二发光元件的一对电极间的距离优选长于第三发光元件的一对电极间的距离。
第一发光元件的厚度与第二发光元件的厚度的差优选为40nm以上且90nm以下。另外,第一发光元件的一对电极间的距离与第二发光元件的一对电极间的距离之差选为40nm以上且90nm以下。
第一发光元件、第二发光元件及第三发光元件优选分别在一对电极间包括空穴传输层。此时,第一发光元件的空穴传输层的厚度优选厚于第二发光元件的空穴传输层的厚度。第一发光元件的空穴传输层的厚度优选厚于第三发光元件的空穴传输层的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810163989.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的