[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备在审
申请号: | 201810163989.6 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108598107A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 山冈谅平;濑尾哲史;中村太纪 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益;葛臻翼 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光元件 峰值波长 显示装置 发射光谱 电极 发光层 电子设备提供 半反射电极 反射电极 显示模块 半透射 广色域 波长 视角 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一发光元件;
第二发光元件;以及
第三发光元件,
其中,所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件分别包括一对电极以及所述一对电极间的发光层,
所述一对电极中的一个包括反射电极,
所述所述一对电极中的另一个包括半透射·半反射电极,
所述第一发光元件的所述发光层、所述第二发光元件的所述发光层以及所述第三发光元件的所述发光层互不相同,
所述第一发光元件的发射光谱的第一峰值波长是400nm以上且480nm以下,
所述第二发光元件的发射光谱的第二峰值波长是580nm以上且700nm以下,
所述第三发光元件的发射光谱的第三峰值波长是所述第一峰值波长和所述第二峰值波长间的波长,
所述第一发光元件的所述一对电极间的距离长于所述第二发光元件的所述一对电极间的距离,
并且,所述第二发光元件的所述一对电极间的距离长于所述第三发光元件的所述一对电极间的距离。
2.一种显示装置,包括:
第一发光元件;
第二发光元件;以及
第三发光元件,
其中,所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件分别包括一对电极以及所述一对电极间的发光层,
所述一对电极中的一个包括反射电极,
所述所述一对电极中的另一个包括半透射·半反射电极,
所述第一发光元件的所述发光层、所述第二发光元件的所述发光层以及所述第三发光元件的所述发光层互不相同,
所述第一发光元件的发射光谱的第一峰值波长是400nm以上且480nm以下,
所述第二发光元件的发射光谱的第二峰值波长是580nm以上且700nm以下,
所述第三发光元件的发射光谱的第三峰值波长是所述第一峰值波长和所述第二峰值波长间的波长,
所述第一发光元件的所述一对电极间的距离长于所述第二发光元件的所述一对电极间的距离,
所述第二发光元件的所述一对电极间的距离长于所述第三发光元件的所述一对电极间的距离,
并且,所述第一发光元件的所述一对电极间的距离与所述第二发光元件的所述一对电极间的距离之差是40nm以上且90nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,
其中所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件分别在所述一对电极间包括空穴传输层,
所述第一发光元件的所述空穴传输层厚于所述第二发光元件的所述空穴传输层,
并且所述第一发光元件的所述空穴传输层厚于所述第三发光元件的所述空穴传输层。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置,
其中所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件分别在所述反射电极和所述发光层间包括透明电极,
所述第一发光元件的所述透明电极厚于所述第二发光元件的所述透明电极,
并且所述第一发光元件的所述透明电极厚于所述第三发光元件的所述透明电极。
5.根据权利要求4所述的显示装置,
其中所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件分别在所述透明电极和所述发光层间包括空穴注入层及空穴传输层,
所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件共用相同的空穴注入层,
并且所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件共用相同的空穴传输层。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置,
其中所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件在所述一对电极间分别包括电子传输层,
并且所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件共用相同的电子传输层。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置,
其中在CIE1976色度坐标(u’v’色度坐标)中所述第二发光元件发射的光的正面方向的色度与从正面倾斜60°的方向的色度的色度差Δu'v'是0.05以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810163989.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的